Что такое SIB410DK-T1-GE3?
SIB410DK-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIB410DK-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIB410DK-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Export Classifications & Environmental
JESD-30 Code
S-XDSO-C3
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
S-XDSO-C3
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
15 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Published
2012
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Terminal Form
C BEND
Series
TrenchFET®
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
6
Pin Count
6
Power Dissipation
2.5W
Vgs (Max)
±8V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
1.8V 4.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Number of Terminations
3
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
20A
Continuous Drain Current (ID)
9A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
9A
Weight
95.991485mg
Fall Time (Typ)
10 ns
Drain-source On Resistance-Max
0.042Ohm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A Tc
Package / Case
PowerPAK® SC-75-6L
Threshold Voltage
400mV
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42m Ω @ 3.8A, 4.5V
Manufacturer's Part No.
SIB410DK-T1-GE3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 15V
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 13W Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 8V
Turn-Off Delay Time
20 ns
Terminal Finish
MATTE TIN
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
6 ns
Rise Time
10ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIB410DK-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIB410DK-T1-GE3?
Для SIB410DK-T1-GE3 указан корпус SC-75-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIB410DK-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 20059 шт. на складе и 18604 шт. доступно для SIB410DK-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIB410DK-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIB410DK-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIB410DK-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIB410DK-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIB410DK-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIB410DK-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
STD17NF25
181 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
Ориентировочная цена
$1.04Добавить в список RFQ
FQB22P10TM
133 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.09Добавить в список RFQ
IRF540ZSPBF
176 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
BSS138-7-F
186 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.01Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.