Что такое SIA430DJ-T1-GE3?
SIA430DJ-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIA430DJ-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIA430DJ-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Export Classifications & Environmental
JESD-30 Code
S-XDSO-N3
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
S-XDSO-N3
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
15 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Part Status
Obsolete
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Height
750μm
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Resistance
13.5MOhm
Nominal Vgs
3 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A Tc
Series
TrenchFET®
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
6
Pin Count
6
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Threshold Voltage
3V
Fall Time (Typ)
8 ns
Continuous Drain Current (ID)
12A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Width
2.05mm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
40A
Length
2.05mm
Power Dissipation
3.5W
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 10V
Manufacturer's Part No.
SIA430DJ-T1-GE3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5m Ω @ 7A, 10V
Power Dissipation-Max
3.5W Ta 19.2W Tc
Terminal Finish
MATTE TIN
Turn-Off Delay Time
17 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
8ns
Turn On Delay Time
10 ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIA430DJ-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIA430DJ-T1-GE3?
Для SIA430DJ-T1-GE3 указан корпус SC70-6. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIA430DJ-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 12710 шт. на складе и 12710 шт. доступно для SIA430DJ-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIA430DJ-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIA430DJ-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIA430DJ-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIA430DJ-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIA430DJ-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIA430DJ-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDMA908PZ
188 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
Ориентировочная цена
$1.95Добавить в список RFQ
FDC606P
225 покупали
SSOT-6
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
IRLR3410TRPBF
134 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
ZVNL120GTA
144 покупали
SOT223
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
Ориентировочная цена
$0.42Добавить в список RFQ
FDS8884
166 покупали
8-SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.33Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.