Анализ альтернативной детали

Pin to pin replacement, cross reference и альтернативы для BSS138L

Используйте эту страницу, чтобы сравнить pin-to-pin варианты замены для BSS138L, просмотреть cross-reference notes и быстрее перейти от риска по детали к действию по закупке.

Здесь можно сразу сравнить BSS138L vs BSS138-7-F, pin-to-pin alternatives и другие связанные варианты замены.

Сравните BSS138L с доступными pin-to-pin вариантами замены
Проверьте package, lifecycle, stock и MOQ в одном представлении
Перейдите от первичной engineering-проверки к RFQ прямо со страницы
BSS138L pin to pin replacementBSS138L p2p replacementBSS138L cross referenceBSS138L заменаBSS138L альтернативаBSS138L equivalent

BSS138L cross reference и pin-to-pin alternatives

Рекомендуемые варианты замены

Сначала просмотрите наиболее релевантные варианты замены для BSS138L, включая pin-to-pin, функциональные и cross-reference альтернативы. Изучите overview и ключевые параметры, а затем отправьте RFQ по подходящему варианту.

Pin-to-pin замена

BSS138-7-F

Diodes Incorporated

<p>The BSS138-7-F is a N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Diodes Incorporated. It is designed for low-voltage applications and is commonly used in switching and amplification circuits. Here’s a detailed description of its key features and specifications:</p> <h3>General Characteristics:</h3> <ul> <li><strong>Type</strong>: N-channel MOSFET</li> <li><strong>Package</strong>: Typically available in a small SOT-23 package, which is a surface-mount device (SMD) that allows for efficient use of PCB space.</li> <li><strong>Pin Configuration</strong>: The SOT-23 package usually has three pins, which are designated as Gate (G), Drain (D), and Source (S).</li> </ul> <h3>Electrical Specifications:</h3> <ul> <li><strong>Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)</strong>: The BSS138 can handle a maximum V_DS of 50V, making it suitable for a variety of applications where moderate voltage levels are present.</li> <li><strong>Continuous Drain Current (I_D)</strong>: It can support a continuous drain current of up to 220 mA at a temperature of 25°C, which is adequate for many low-power applications.</li> <li><strong>Gate Threshold Voltage (V_GS(th))</strong>: The gate threshold voltage typically ranges from 0.8V to 1.5V, indicating the minimum gate-to-source voltage required to turn the MOSFET on.</li> <li><strong>R_DS(on)</strong>: The on-resistance (R_DS(on)) is typically around 3.5 ohms at a V_GS of 10V, which contributes to lower power losses during operation.</li> </ul> <h3>Performance Characteristics:</h3> <ul> <li><strong>Switching Speed</strong>: The BSS138 is known for its fast switching capabilities, making it suitable for high-speed applications.</li> <li><strong>Thermal Resistance</strong>: The thermal resistance from junction to ambient (RθJA) is relatively low, allowing for efficient heat dissipation during operation.</li> <li><strong>Safe Operating Area (SOA)</strong>: The device is designed to operate within a safe area, ensuring reliability and longevity in various applications.</li> </ul> <h3>Applications:</h3> <p>The BSS138-7-F is widely used in:</p> <ul> <li><strong>Switching Regulators</strong>: For efficient power management in DC-DC converters.</li> <li><strong>Level Shifting</strong>: In interfacing between different voltage levels in digital circuits.</li> <li><strong>Signal Switching</strong>: For controlling signals in various electronic devices.</li> <li><strong>Load Switching</strong>: In applications where it is necessary to control larger loads with a smaller control signal.</li> </ul> <h3>Additional Features:</h3> <ul> <li><strong>RoHS Compliant</strong>: The BSS138-7-F is compliant with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive, making it environmentally friendly.</li> <li><strong>Low Gate Drive Power</strong>: The device requires minimal gate drive power, which is advantageous in battery-operated devices.</li> </ul> <h3>Conclusion:</h3> <p>The BSS138-7-F from Diodes Incorporated is a versatile and efficient N-channel MOSFET suitable for a wide range of applications, particularly in low-voltage and low-power environments. Its compact size, combined with its robust electrical characteristics, makes it a popular choice among engineers and designers in the electronics industry.</p>

BSS138-7-F здесь показан как связанная pin-to-pin замена для BSS138L с package, lifecycle, stock, MOQ, datasheet и key attributes для более быстрой оценки закупкой.

Производитель
Diodes Incorporated
Корпус
SOT23
Серия
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия
Склад
64,658
Доступно
97,454
Мин. заказ
1
Datasheet
Доступен
Ключевые параметры: -
Pin-to-pin замена

BSS138N

Infineon Technologies

BSS138N is Infineon Technologies' SIPMOS small-signal N-channel enhancement mode MOSFET in PG-SOT-23 (3-pin). Rated 60 V VDS, 0.23 A ID, 3.5 Ω Rds(on) at Vgs = 10 V, 360 mW Pd. Pin-to-pin drop-in for onsemi BSS138L (SOT-23-3 footprint, identical pinout 1=Gate, 2=Drain, 3=Source). Identical RDS(on) (3.5 Ω) at the same gate drive as onsemi BSS138L, making it an exact parametric replacement per Ovaga cross-reference and DigiKey 'Similar' listing. Marketed as the Infineon successor to the BSS138 footprint.

BSS138N здесь показан как связанная pin-to-pin замена для BSS138L с package, lifecycle, stock, MOQ, datasheet и key attributes для более быстрой оценки закупкой.

Производитель
Infineon Technologies
Корпус
SOT-23-3
Серия
BSS138
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия
Склад
250,000
Доступно
200,000
Мин. заказ
1
Datasheet
Доступен
Ключевые параметры: -
Pin-to-pin замена

BSN20-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

BSN20-7 здесь показан как связанная pin-to-pin замена для BSS138L с package, lifecycle, stock, MOQ, datasheet и key attributes для более быстрой оценки закупкой.

Производитель
Diodes Incorporated
Корпус
SOT23
Серия
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия
Склад
20,231
Доступно
17,364
Мин. заказ
1
Datasheet
Доступен
Ключевые параметры: -
Функциональная замена

2N7002K-7

Diodes Incorporated

<p>The 2N7002K-7 is a N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Diodes Incorporated. It is designed for low-voltage applications and is widely used in various electronic circuits due to its efficiency and reliability.</p> <h3>Key Features:</h3> <ol> <li><strong>Type</strong>: N-channel MOSFET</li> <li><strong>Package</strong>: The 2N7002K-7 is typically available in a SOT-23 package, which is a small, surface-mount package that allows for efficient use of board space.</li> <li><strong>Voltage Rating</strong>: The device has a maximum drain-source voltage (V_DS) of 60V, making it suitable for a variety of applications that require moderate voltage handling.</li> <li><strong>Current Rating</strong>: It can handle a continuous drain current (I_D) of up to 200mA, which is adequate for many low-power switching applications.</li> <li><strong>Gate Threshold Voltage (V_GS(th))</strong>: The gate threshold voltage is typically in the range of 0.8V to 3V, allowing it to be driven by low-voltage logic levels.</li> <li><strong>R_DS(on)</strong>: The on-resistance (R_DS(on)) is low, typically around 0.5 ohms at a gate-source voltage (V_GS) of 10V, which contributes to lower power losses during operation.</li> <li><strong>Switching Speed</strong>: The 2N7002K-7 features fast switching capabilities, making it suitable for high-speed applications such as switching power supplies and signal switching.</li> <li><strong>Thermal Characteristics</strong>: The device has a thermal resistance (RθJA) that allows it to operate efficiently without overheating, provided it is used within its specified limits.</li> </ol> <h3>Applications:</h3> <p>The 2N7002K-7 is commonly used in various applications, including:</p> <ul> <li><strong>Switching Regulators</strong>: It can be used in DC-DC converters and other power management circuits.</li> <li><strong>Signal Switching</strong>: Ideal for switching signals in digital circuits, such as microcontroller outputs.</li> <li><strong>Load Switching</strong>: Suitable for controlling loads in automotive and industrial applications.</li> <li><strong>Relay Replacement</strong>: Can be used to replace mechanical relays in low-power applications for faster switching and increased reliability.</li> </ul> <h3>Electrical Characteristics:</h3> <ul> <li><strong>Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)</strong>: ±20V</li> <li><strong>Maximum Power Dissipation (P_D)</strong>: Typically around 300mW, depending on the thermal management of the PCB.</li> <li><strong>Operating Temperature Range</strong>: The device can operate in a temperature range from -55°C to +150°C, making it suitable for a variety of environmental conditions.</li> </ul> <h3>Conclusion:</h3> <p>The 2N7002K-7 from Diodes Incorporated is a versatile and efficient N-channel MOSFET that is well-suited for low-voltage applications. Its compact size, low on-resistance, and fast switching capabilities make it a popular choice among engineers and designers for a wide range of electronic circuits.</p>

2N7002K-7 здесь показан как связанная pin-to-pin замена для BSS138L с package, lifecycle, stock, MOQ, datasheet и key attributes для более быстрой оценки закупкой.

Производитель
Diodes Incorporated
Корпус
SOT23
Серия
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия
Склад
66,023
Доступно
48,539
Мин. заказ
1
Datasheet
Доступен
Ключевые параметры: -
Функциональная замена

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23

SI2302CDS-T1-E3 здесь показан как связанная pin-to-pin замена для BSS138L с package, lifecycle, stock, MOQ, datasheet и key attributes для более быстрой оценки закупкой.

Производитель
Vishay
Корпус
SOT-23
Серия
TrenchFET®
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия
Склад
27,000
Доступно
27,000
Мин. заказ
1
Datasheet
Доступен
Ключевые параметры: -

Техническое сравнение

Таблица сравнения параметров

Сравнение исходной детали и связанных альтернатив, чтобы закупка и engineering могли быстро проверить package, availability, lifecycle и ключевые descriptors до RFQ.

Прокручивайте таблицу по горизонтали, чтобы сравнивать больше моделей

Левая колонка остается видимой, чтобы покупателю было проще держать в фокусе название параметра при сравнении нескольких альтернатив.

Таблица сравнения параметров
Текущая детальLTB
BSS138L

ON Semiconductor

Альтернатива
BSS138-7-F

Diodes Incorporated

Альтернатива
BSS138N

Infineon Technologies

Альтернатива
BSN20-7

Diodes Incorporated

Альтернатива
2N7002K-7

Diodes Incorporated

Альтернатива
Номер деталиBSS138LBSS138-7-FBSS138NBSN20-72N7002K-7SI2302CDS-T1-E3
ПроизводительON SemiconductorDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesDiodes IncorporatedDiodes IncorporatedVishay
КатегорияДискретные полупроводниковые изделияДискретные полупроводниковые изделияДискретные полупроводниковые изделияДискретные полупроводниковые изделияДискретные полупроводниковые изделияДискретные полупроводниковые изделия
ПодкатегорияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
КорпусSOT-23-3SOT23SOT-23-3SOT23SOT23SOT-23
СерияBSS138-BSS138--TrenchFET®
Ключевые параметры------
ОписаниеSingle N-channel logic-level enhancement mode MOSFET, 50 V, 200 mA, SOT-23-3. onsemi lifecycle status: 'Last Shipments' (entering Obsolete).MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3N-channel logic-level enhancement mode MOSFET, 60 V, 0.23 A, SOT-23-3. Pin-to-pin drop-in replacement for onsemi BSS138L.MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
LifecycleLTB-----
Склад60,00064,658250,00020,23166,02327,000
Доступно48,00097,454200,00017,36448,53927,000
Мин. заказ111111
DatasheetДоступенДоступенДоступенДоступенДоступенДоступен
Действия

FAQ по замене

Вопросы по replacement parts

Короткие ответы для команд, которые оценивают замену и equivalent-part options для BSS138L.

Что показывает cross-reference page для BSS138L?

Эта страница собирает связанные варианты замены для BSS138L, чтобы закупка и engineering могли сравнить кандидатов до запроса цены или утверждения substitute.

Означает ли mapped alternative гарантированную drop-in замену для BSS138L?

Не автоматически. Cross-reference помогает сузить shortlist, но package, электрическое поведение, scope квалификации и internal approval rules все равно нужно проверить перед выпуском.

Какие параметры стоит сравнить в первую очередь для альтернатив BSS138L?

Сначала сравните package, series, key attributes, lifecycle status, stock, доступность datasheet и pin-to-pin либо cross-reference note. Затем подтвердите application-specific requirements по datasheet и на этапе RFQ.

Можно ли запросить цену на альтернативу для BSS138L?

Да. Используйте product links или RFQ actions на этой странице, чтобы запросить цену, наличие, документацию и sourcing support по любой указанной альтернативной детали.

BSS138L уже obsolete, и какую замену покупателю стоит проверить первой?

Сначала проверьте строку lifecycle на этой странице. Если команде нужен быстрый starting point, самым сильным mapped replacement здесь сейчас выступает BSS138-7-F, а затем можно проверить остальные альтернативы в общей таблице сравнения.