Поставка оригинальных NTLJD3115PT1G, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных NTLJD3115PT1G, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NTLJD3115PT1G

Внутренний код

TCE000057564

Упаковка

-

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для NTLJD3115PT1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Product Attribute

Factory Lead Time

9 Weeks

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Factory Lead Time
9 Weeks
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
750μm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Terminal Form
C BEND
Surface Mount
YES
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Voltage - Rated DC
-20V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Length
2mm
Element Configuration
Dual
Width
2mm
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Package / Case
6-WDFN Exposed Pad
Resistance
100mOhm
Max Power Dissipation
710mW
Fall Time (Typ)
15 ns
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID)
3.3A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100m Ω @ 2A, 4.5V
Base Part Number
NTLJD3115P
Manufacturer's Part No.
NTLJD3115PT1G
Current Rating
-4.1A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements
2
Turn On Delay Time
6 ns
Rise Time
15ns
FET Feature
Logic Level Gate
Turn-Off Delay Time
19.8 ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NTLJD3115PT1G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NTLJD3115PT1G?

NTLJD3115PT1G — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NTLJD3115PT1G?

Для NTLJD3115PT1G указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NTLJD3115PT1G в наличии?

Сейчас на странице указано 73269 шт. на складе и 60897 шт. доступно для NTLJD3115PT1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NTLJD3115PT1G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NTLJD3115PT1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NTLJD3115PT1G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NTLJD3115PT1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом NTLJD3115PT1G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NTLJD3115PT1G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.