Что такое APT11N80BC3G?
APT11N80BC3G — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Microsemi. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных APT11N80BC3G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Microsemi
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для APT11N80BC3G от Microsemi в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Published
1997
Factory Lead Time
24 Weeks
Qualification Status
Not Qualified
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
JEDEC-95 Code
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Terminal Position
SINGLE
Pin Count
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Current Rating
11A
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Voltage - Rated DC
800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A Tc
Length
21.46mm
Continuous Drain Current (ID)
11A
Avalanche Energy Rating (Eas)
470 mJ
Fall Time (Typ)
7 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Manufacturer
Microsemi
Lifecycle Status
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
Power Dissipation
156W
Weight
38.000013g
Height
5.31mm
Width
16.26mm
Drain-source On Resistance-Max
0.45Ohm
Manufacturer's Part No.
APT11N80BC3G
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
33A
Power Dissipation-Max
156W Tc
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 680μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1585pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450m Ω @ 7.1A, 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-609 Code
e1
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Terminal Finish
TIN SILVER COPPER
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
70 ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Rise Time
15ns
Turn On Delay Time
25 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют APT11N80BC3G, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для APT11N80BC3G?
Для APT11N80BC3G указан корпус TO-247. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли APT11N80BC3G в наличии?
Сейчас на странице указано 14163 шт. на складе и 11359 шт. доступно для APT11N80BC3G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для APT11N80BC3G?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для APT11N80BC3G от Microsemi. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для APT11N80BC3G?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для APT11N80BC3G от Microsemi, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом APT11N80BC3G?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для APT11N80BC3G.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRLB8721PBF
225 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.53Добавить в список RFQ
AUIRFR3806
181 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
FDD86110
161 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
Ориентировочная цена
$1.44Добавить в список RFQ
AUIRLR3410TR
180 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Ориентировочная цена
$0.67Добавить в список RFQ
STP2NK90Z
165 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220
Ориентировочная цена
$0.61Добавить в список RFQ
STB30NF20
223 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Ориентировочная цена
$8.78Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.