Что такое BUZ31?
BUZ31 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Infineon TechnologiesДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных BUZ31, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
SIPMOS®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для BUZ31 от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Pitch
2.54mm
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Pitch
2.54mm
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Published
2004
Part Status
Obsolete
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Series
SIPMOS®
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)
200 mJ
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Nominal Vgs
3 V
Resistance
200mOhm
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Termination
Through Hole
Voltage - Rated DC
200V
Threshold Voltage
3V
Current Rating
14.5A
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Fall Time (Typ)
60 ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
5V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Power Dissipation
95W
Power Dissipation-Max
95W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1120pF @ 25V
Continuous Drain Current (ID)
14.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200m Ω @ 9A, 5V
Manufacturer's Part No.
BUZ31
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
58A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14.5A Tc
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
MATTE TIN
Turn-Off Delay Time
150 ns
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
200V
Rise Time
50ns
Reverse Recovery Time
170 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют BUZ31, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для BUZ31?
Для BUZ31 указан корпус TO-220-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли BUZ31 в наличии?
Сейчас на странице указано 39180 шт. на складе и 13739 шт. доступно для BUZ31. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для BUZ31?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для BUZ31 от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для BUZ31?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для BUZ31 от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом BUZ31?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для BUZ31.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IPB039N10N3GATMA1
176 покупали
TO263
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Ориентировочная цена
$1.44Добавить в список RFQ
AUIRFR4105Z
183 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
STU10NM60N
169 покупали
TO-251-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Ориентировочная цена
$1.44Добавить в список RFQ
IXTA110N055P
147 покупали
TO-263
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
Ориентировочная цена
$3.07Добавить в список RFQ
IRFB3207PBF
213 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.74Добавить в список RFQ
CSD16408Q5
128 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
Ориентировочная цена
$0.63Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.