MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Изучите актуальный datasheet для DMG6602SVT-7 от Diodes Incorporated в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
The DMG6602SVT-7 is a dual N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Diodes Incorporated. This component is designed for high-efficiency switching applications and is particularly suitable for power management in various electronic devices.
Configuration: The DMG6602SVT-7 consists of two N-channel MOSFETs integrated into a single package, allowing for compact designs and efficient use of board space.
Package Type: It is housed in a compact SO-8 (Small Outline 8-lead) package, which is surface-mountable. This package type is ideal for automated assembly processes and helps in reducing the overall footprint on the PCB.
Voltage Rating: The device has a maximum drain-source voltage (V_DS) rating of 60V, making it suitable for a wide range of applications, including power supplies and motor control circuits.
Current Rating: The DMG6602SVT-7 can handle continuous drain currents of up to 30A, depending on the thermal management and conditions of use. This high current capability makes it suitable for applications requiring significant power handling.
R_DS(on): The on-resistance (R_DS(on)) is low, typically around 10 mΩ at a gate-source voltage (V_GS) of 10V. This low on-resistance contributes to reduced power losses during operation, enhancing overall efficiency.
Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage (V_GS(th)) is typically in the range of 1V to 3V, allowing for easy drive with low-voltage control signals.
Switching Speed: The DMG6602SVT-7 features fast switching capabilities, which are essential for high-frequency applications. This characteristic helps in minimizing switching losses and improving the efficiency of the circuit.
Thermal Performance: The device is designed to operate over a wide temperature range, typically from -55°C to +150°C, ensuring reliability in various environmental conditions.
The DMG6602SVT-7 is suitable for a variety of applications, including:
The DMG6602SVT-7 from Diodes Incorporated is a versatile and efficient dual N-channel MOSFET that offers high performance in a compact package. Its combination of low on-resistance, high current handling, and fast switching capabilities makes it an excellent choice for modern electronic applications requiring reliable power management solutions.
Полная техническая структура
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.21.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют DMG6602SVT-7, наличие, документацию и процесс закупки.
DMG6602SVT-7 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Diodes Incorporated. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Для DMG6602SVT-7 указан корпус SOT-23-6. Текущее описание товара: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Сейчас на странице указано 52944 шт. на складе и 11622 шт. доступно для DMG6602SVT-7. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для DMG6602SVT-7 от Diodes Incorporated. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для DMG6602SVT-7 от Diodes Incorporated, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для DMG6602SVT-7.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Еще материалы по закупкам
3 июл. 2026 г.
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.