Что такое FCU900N60Z?
FCU900N60Z — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FCU900N60Z, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
SuperFET® II
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FCU900N60Z от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Product Parameter
Turn On Delay Time
10.9 ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
33.6 ns
Product Parameter
Rise Time
5.3ns
Product Attribute
Part Status
Active
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Turn On Delay Time
10.9 ns
Turn-Off Delay Time
33.6 ns
Rise Time
5.3ns
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Factory Lead Time
15 Weeks
Published
2012
Reach Compliance Code
not_compliant
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Contact Plating
Tin
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Width
2.5mm
Power Dissipation
52W
Threshold Voltage
2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250μA
Power Dissipation-Max
52W Tc
Continuous Drain Current (ID)
4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 25V
Series
SuperFET® II
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A Tc
Avalanche Energy Rating (Eas)
47.5 mJ
Drain-source On Resistance-Max
0.9Ohm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900m Ω @ 2.3A, 10V
Fall Time (Typ)
11.9 ns
Length
6.8mm
Drain to Source Breakdown Voltage
675V
Height
7.57mm
Weight
539mg
Manufacturer's Part No.
FCU900N60Z
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FCU900N60Z, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FCU900N60Z?
Для FCU900N60Z указан корпус TO-251-3. Текущее описание товара: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FCU900N60Z в наличии?
Сейчас на странице указано 80507 шт. на складе и 73477 шт. доступно для FCU900N60Z. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FCU900N60Z?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FCU900N60Z от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FCU900N60Z?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FCU900N60Z от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FCU900N60Z?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FCU900N60Z.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IXFH12N100Q
221 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Ориентировочная цена
$27.39Добавить в список RFQ
STD12NF06L-1
156 покупали
TO-251-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Ориентировочная цена
$0.48Добавить в список RFQ
IRFH5106TRPBF
187 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
FQPF10N60C
157 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
Ориентировочная цена
$0.40Добавить в список RFQ
NTR5198NLT1G
156 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
Ориентировочная цена
$5.00Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.