Поставка оригинальных FDB050AN06A0, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных FDB050AN06A0, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FDB050AN06A0

Внутренний код

TCE000062796

Упаковка

TO-

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

PowerTrench®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FDB050AN06A0 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Factory Lead Time

9 Weeks

Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Factory Lead Time
9 Weeks
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Published
2013
Length
10.67mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fall Time (Typ)
29 ns
Series
PowerTrench®
Weight
1.31247g
Current Rating
80A
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Voltage - Rated DC
60V
Height
4.83mm
Width
9.65mm
Continuous Drain Current (ID)
80A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
470 mJ
Resistance
5MOhm
Power Dissipation
245W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A Ta 80A Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5m Ω @ 80A, 10V
Power Dissipation-Max
245W Tc
Manufacturer's Part No.
FDB050AN06A0
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Rise Time
160ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
16 ns
Turn-Off Delay Time
28 ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDB050AN06A0, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FDB050AN06A0?

FDB050AN06A0 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FDB050AN06A0?

Для FDB050AN06A0 указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FDB050AN06A0 в наличии?

Сейчас на странице указано 89109 шт. на складе и 76147 шт. доступно для FDB050AN06A0. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FDB050AN06A0?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDB050AN06A0 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FDB050AN06A0?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDB050AN06A0 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FDB050AN06A0?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDB050AN06A0.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.