Что такое FDC855N?
FDC855N — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDC855N, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDC855N от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Published
2007
Factory Lead Time
13 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Width
1.7mm
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Nominal Vgs
2 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Resistance
27mOhm
Weight
36mg
Series
PowerTrench®
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Length
3mm
Height
1mm
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Power Dissipation
1.6W
Threshold Voltage
2V
Power Dissipation-Max
1.6W Ta
Fall Time (Typ)
2 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID)
6.1A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.1A Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27m Ω @ 6.1A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDC855N
Feedback Cap-Max (Crss)
95 pF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
655pF @ 15V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
14 ns
Turn On Delay Time
6 ns
Rise Time
2ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDC855N, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDC855N?
Для FDC855N указан корпус SSOT. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDC855N в наличии?
Сейчас на странице указано 55288 шт. на складе и 49410 шт. доступно для FDC855N. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDC855N?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDC855N от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDC855N?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDC855N от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDC855N?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDC855N.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFR420TRRPBF
152 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Ориентировочная цена
$0.79Добавить в список RFQ
AUIRLR3705Z
190 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
HUF75344G3
171 покупали
TO-247
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
Ориентировочная цена
$1.65Добавить в список RFQ
IRFPS3810PBF
182 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Ориентировочная цена
$6.34Добавить в список RFQ
FDD86326
130 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
Ориентировочная цена
$0.20Добавить в список RFQ
BSS138NH6327XTSA2
166 покупали
SOT-23
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Ориентировочная цена
$0.03Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.