Что такое FDD86326?
FDD86326 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDD86326, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDD86326 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Rise Time
3ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
7.6 ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
13.4 ns
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Rise Time
3ns
Turn On Delay Time
7.6 ns
Turn-Off Delay Time
13.4 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
8 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2010
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Length
6.73mm
Series
PowerTrench®
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Continuous Drain Current (ID)
42A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Drain to Source Breakdown Voltage
80V
Weight
260.37mg
Drain Current-Max (Abs) (ID)
8A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
40A
Fall Time (Typ)
2.9 ns
Power Dissipation
62W
Threshold Voltage
3.1V
Nominal Vgs
3.1 V
Power Dissipation-Max
3.1W Ta 62W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1035pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23m Ω @ 8A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDD86326
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A Ta 37A Tc
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDD86326, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDD86326?
Для FDD86326 указан корпус 2010. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDD86326 в наличии?
Сейчас на странице указано 59802 шт. на складе и 26939 шт. доступно для FDD86326. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDD86326?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDD86326 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDD86326?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDD86326 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDD86326?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDD86326.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
STP9NK60ZFP
214 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
Ориентировочная цена
$1.20Добавить в список RFQ
IRL3713SPBF
161 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
IXFH24N50
146 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
Ориентировочная цена
$6.74Добавить в список RFQ
FDB035N10A
189 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.95Добавить в список RFQ
STB100NF04T4
205 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.94Добавить в список RFQ
IRF1404STRLPBF
227 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.71Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.