Что такое FDG316P?
FDG316P — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDG316P, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDG316P от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Rise Time
9ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
14 ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
8 ns
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Elements
1
Rise Time
9ns
Turn-Off Delay Time
14 ns
Turn On Delay Time
8 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Published
2000
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Width
1.25mm
Power Dissipation
750mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Threshold Voltage
-1.6V
Resistance
190MOhm
Weight
28mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.6A Ta
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Height
1mm
Voltage - Rated DC
30V
Length
2mm
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Fall Time (Typ)
9 ns
Current Rating
1.6A
Continuous Drain Current (ID)
1.6A
Power Dissipation-Max
750mW Ta
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190m Ω @ 1.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
165pF @ 15V
Manufacturer's Part No.
FDG316P
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDG316P, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDG316P?
Для FDG316P указан корпус SC70-6. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDG316P в наличии?
Сейчас на странице указано 42000 шт. на складе и 42000 шт. доступно для FDG316P. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDG316P?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDG316P от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDG316P?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDG316P от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDG316P?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDG316P.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
HUF75344G3
171 покупали
TO-247
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
Ориентировочная цена
$1.65Добавить в список RFQ
STP2NK90Z
165 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220
Ориентировочная цена
$0.61Добавить в список RFQ
FQP32N20C
144 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
Ориентировочная цена
$0.48Добавить в список RFQ
FQD13N06TM
224 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Ориентировочная цена
$0.22Добавить в список RFQ
IRLS3036TRLPBF
189 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.76Добавить в список RFQ
NTR4502PT1G
146 покупали
SOT-23
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
Ориентировочная цена
$0.05Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.