Что такое IXTA110N055P?
IXTA110N055P — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от IXYS. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных IXTA110N055P, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PolarHT™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для IXTA110N055P от IXYS в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Packaging
Tube
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
2006
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Packaging
Tube
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Factory Lead Time
8 Weeks
Terminal Form
GULL WING
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Continuous Drain Current (ID)
110A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A Tc
Manufacturer
IXYS
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Length
9.9mm
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Pin Count
4
Width
9.2mm
Drain to Source Breakdown Voltage
55V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250μA
Fall Time (Typ)
45 ns
Height
4.5mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
76nC @ 10V
Recovery Time
80 ns
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
250A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2210pF @ 25V
Series
PolarHT™
Power Dissipation
390W
Avalanche Energy Rating (Eas)
1000 mJ
Manufacturer's Part No.
IXTA110N055P
Power Dissipation-Max
390W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5m Ω @ 500mA, 10V
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
27 ns
Rise Time
53ns
Turn-Off Delay Time
66 ns
Terminal Finish
PURE TIN
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IXTA110N055P, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для IXTA110N055P?
Для IXTA110N055P указан корпус TO-263. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли IXTA110N055P в наличии?
Сейчас на странице указано 33519 шт. на складе и 33519 шт. доступно для IXTA110N055P. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для IXTA110N055P?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IXTA110N055P от IXYS. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для IXTA110N055P?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IXTA110N055P от IXYS, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом IXTA110N055P?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IXTA110N055P.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDB050AN06A0
137 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Ориентировочная цена
$0.48Добавить в список RFQ
IRLH5034TRPBF
134 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN
Ориентировочная цена
$1.16Добавить в список RFQ
FQP19N20C
135 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Ориентировочная цена
$1.37Добавить в список RFQ
NTR5198NLT1G
156 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
Ориентировочная цена
$5.00Добавить в список RFQ
DMN6068SE-13
164 покупали
SOT223
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Ориентировочная цена
$0.08Добавить в список RFQ
DMN3007LSS-13
143 покупали
8-SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.