Что такое SIA431DJ-T1-GE3?
SIA431DJ-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIA431DJ-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIA431DJ-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
MATTE TIN
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Product Parameter
Rise Time
25ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
65 ns
Terminal Finish
MATTE TIN
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Rise Time
25ns
Turn-Off Delay Time
65 ns
Turn On Delay Time
22 ns
Part Status
Active
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
REACH Status
Vendor Undefined
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Published
2013
Element Configuration
Single
Height
750μm
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A Tc
Series
TrenchFET®
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
6
Pin Count
6
Vgs (Max)
±8V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Number of Terminations
4
Fall Time (Typ)
25 ns
Continuous Drain Current (ID)
-12A
Width
2.05mm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
30A
Length
2.05mm
Power Dissipation-Max
3.5W Ta 19W Tc
Power Dissipation
3.5W
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
1.5V 4.5V
Resistance
25mOhm
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250μA
Nominal Vgs
-850 mV
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25m Ω @ 6.5A, 4.5V
Manufacturer's Part No.
SIA431DJ-T1-GE3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
S-PDSO-N4
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIA431DJ-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIA431DJ-T1-GE3?
Для SIA431DJ-T1-GE3 указан корпус SC70-6. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIA431DJ-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 98441 шт. на складе и 10565 шт. доступно для SIA431DJ-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIA431DJ-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIA431DJ-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIA431DJ-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIA431DJ-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIA431DJ-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIA431DJ-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
CSD16408Q5
128 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
Ориентировочная цена
$0.63Добавить в список RFQ
DMN4800LSSL-13
157 покупали
SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Ориентировочная цена
$0.17Добавить в список RFQ
IRL3713SPBF
161 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
STD10NM60ND
190 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Ориентировочная цена
$0.47Добавить в список RFQ
FQPF13N50C
172 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
Ориентировочная цена
$0.46Добавить в список RFQ
FQP4P40
176 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 400V 3.5A TO-220
Ориентировочная цена
$3.20Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.