Получить образец
Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.
Запросить образцыON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
NVMFD5877NLT1G Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor
NVMFD5877NLT1G — это модель из категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы. Известный корпус сейчас указан как 8SOIC в карточке бренда ON Semiconductor. MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для NVMFD5877NLT1G, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Проверка подлинности и прослеживаемости
Быстрый ответ по RFQ
Поддержка по документации
Проверка перед отгрузкой
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Основные характеристики
-
Техническое описание
Открыть datasheet NVMFD5877NLT1GТехнический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для NVMFD5877NLT1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Процесс заказа
Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку
Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.
Как заказать этот товар
Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.
1
Проверьте позицию и количество
Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.
2
Отправьте RFQ или запрос на образец
Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.
3
Согласуйте доставку, оплату и документы
До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.
Какие policy обычно проверяют покупатели
Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.
Доставка и отгрузка
Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.
Посмотреть условия доставкиУсловия оплаты
Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.
Посмотреть условия оплатыЦентр качества и прослеживаемости
Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.
Посмотреть quality workflowСтруктурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.
Обзор продукта
Обзор
The NVMFD5877NLT1G is an N-channel Power MOSFET designed and manufactured by ON Semiconductor. MOSFETs are widely used in power electronics and switching circuits due to their high efficiency and fast switching speeds.
Key Features:
- N-Channel MOSFET: Enhances the conductivity between the drain and source terminals when a positive voltage is applied to the gate terminal.
- Low On-Resistance: Provides low resistance between the drain and source terminals when fully turned on, minimizing power dissipation and improving efficiency.
- Fast Switching Speeds: Offers rapid switching between on and off states, reducing switching losses and improving overall system performance.
- High Voltage Rating: Designed to withstand high drain-source voltages, making it suitable for high-voltage applications.
- Thermal Performance: Features excellent thermal properties to ensure reliable operation under high-power conditions.
- Compact Package: Available in compact surface-mount packages for easy integration into various electronic designs.
- RoHS Compliance: Compliant with the Restriction of Hazardous Substances directive, ensuring environmental safety.
Applications:
- Power Supplies: Used in voltage regulator modules, DC-DC converters, and power supplies to control and regulate the flow of power.
- Motor Control: Employed in motor drive circuits for controlling the speed and direction of electric motors in applications such as robotics, automotive systems, and industrial automation.
- Switching Circuits: Utilized in switching circuits for power management, load switching, and relay drivers in various electronic devices.
- LED Lighting: Integrated into LED driver circuits for controlling the brightness and intensity of LED lighting systems in residential, commercial, and automotive applications.
- Battery Management: Incorporated into battery protection circuits and charging/discharging circuits in portable electronic devices, electric vehicles, and renewable energy systems.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-F6
Terminal Finish
Tin (Sn)
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements
2
FET Feature
Logic Level Gate
Turn On Delay Time
8.1 ns
Turn-Off Delay Time
14.5 ns
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Factory Lead Time
13 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Halogen Free
Halogen Free
Height
1.05mm
Part Status
Not For New Designs
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Package / Case
8-PowerTDFN
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
8
Pin Count
8
Terminal Form
FLAT
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Element Configuration
Dual
Threshold Voltage
3V
Width
5.1mm
Continuous Drain Current (ID)
17A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 25V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
6A
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Length
6.1mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Lifecycle Status
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
Resistance
39MOhm
Max Power Dissipation
3.2W
Power Dissipation
23W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
74A
Avalanche Energy Rating (Eas)
10.5 mJ
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39m Ω @ 7.5A, 10V
Manufacturer's Part No.
NVMFD5877NLT1G
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NVMFD5877NLT1G, наличие, документацию и процесс закупки.
Что такое NVMFD5877NLT1G?
NVMFD5877NLT1G — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Какой корпус и описание указаны для NVMFD5877NLT1G?
Для NVMFD5877NLT1G указан корпус 8SOIC. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли NVMFD5877NLT1G в наличии?
Сейчас на странице указано 72535 шт. на складе и 36176 шт. доступно для NVMFD5877NLT1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для NVMFD5877NLT1G?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NVMFD5877NLT1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для NVMFD5877NLT1G?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NVMFD5877NLT1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом NVMFD5877NLT1G?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NVMFD5877NLT1G.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
Еще материалы по закупкам
Статьи
Изучите материалы о NVMFD5877NLT1G, категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.
17 июл. 2026 г.
Поставки FPGA в 2026 году: структура выбора для закупок AMD Xilinx, Intel, Microchip и LatticeРуководство по закупке FPGA для production BOM в 2026 году: жизненный цикл, стоимость редизайна и границы квалификации для семейств AMD Xilinx, Intel, Microchip PolarFire и Lattice.
FPGAAMD XilinxIntel
11 июл. 2026 г.
Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важенСрез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.
широкозонные полупроводникиSiCGaN
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИСОриентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС