Что такое 1N5282TR?
1N5282TR — это компонент категории Диоды - Выпрямители - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных 1N5282TR, Диоды - Выпрямители - Одиночные, от ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Диоды - Выпрямители - ОдиночныеОписание
DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для 1N5282TR от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.10.0070
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Product Attribute
Part Status
Active
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.10.0070
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Min Operating Temperature
-65°C
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
18 Weeks
Published
2016
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Categories
Discrete Semiconductor Products
Subcategory
Rectifier Diodes
Terminal Form
WIRE
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Single
HTS Code
8541.10.00.50
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Terminations
2
Number of Pins
2
Max Operating Temperature
175°C
Power Dissipation
500mW
Current Rating
200mA
Output Current
200mA
Recovery Time
4 ns
Case Connection
ISOLATED
Voltage - Rated DC
80V
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Capacitance @ Vr, F
2.5pF @ 0V 1MHz
Weight
80g
Base Part Number
1N5282
Natural Thermal Resistance
300 °C/W
Manufacturer's Part No.
1N5282TR
Speed
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Operating Temperature - Junction
175°C Max
Number of Elements
1
Diode Element Material
SILICON
Diode Type
Standard
Forward Current
200mA
Reverse Recovery Time
4 ns
Average Rectified Current
200mA
Max Surge Current
4A
Peak Non-Repetitive Surge Current
4A
Peak Reverse Current
100nA
Max Reverse Voltage (DC)
80V
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
80V
Forward Voltage
1.3V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
900mV @ 100mA
Capacitance
2.5pF
Reverse Voltage
80V
Current - Reverse Leakage @ Vr
100nA @ 55V
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют 1N5282TR, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для 1N5282TR?
Для 1N5282TR указан корпус DO35. Текущее описание товара: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли 1N5282TR в наличии?
Сейчас на странице указано 10000 шт. на складе и 10000 шт. доступно для 1N5282TR. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для 1N5282TR?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для 1N5282TR от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для 1N5282TR?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для 1N5282TR от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом 1N5282TR?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для 1N5282TR.
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
BYG10J-E3/TR
130 покупали
SMA
RoHS
Datasheet
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Ориентировочная цена
$0.04Добавить в список RFQ
SBR12U45LH-13
184 покупали
RoHS
Datasheet
DIODE SBR 45V 12A POWERDI5SP
Ориентировочная цена
$0.74Добавить в список RFQ
BYG10M-E3/TR3
172 покупали
SMA
RoHS
Datasheet
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
SB120
224 покупали
DO41
RoHS
Datasheet
DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
Ориентировочная цена
$0.06Добавить в список RFQ
RS1B-13
161 покупали
SMA
RoHS
DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
1N5408RL
207 покупали
DO-27
RoHS
Datasheet
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
11 июл. 2026 г.
Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен
широкозонные полупроводникиSiCGaNсиловая электроника
Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС
Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИСlead time
Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.