Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo

SI3585DV-T1-E3 Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay

SI3585DV-T1-E3 — это модель из категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы. Известный корпус сейчас указан как TSOP в карточке бренда Vishay. MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для SI3585DV-T1-E3, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.

RoHS
Datasheet
SI3585DV-T1-E3 Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay | TrustCompo
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Проверка подлинности и прослеживаемости

Быстрый ответ по RFQ

Поддержка по документации

Проверка перед отгрузкой

Номер детали

SI3585DV-T1-E3

Внутренний код

TCE000082313

Упаковка

TSOP

Производитель

Vishay

Ключевые характеристики

Серия

TrenchFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Основные характеристики

-

Техническое описание

Открыть datasheet SI3585DV-T1-E3

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для SI3585DV-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet SI3585DV-T1-E3

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Процесс заказа

Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку

Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.

Как заказать этот товар

Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.

1

Проверьте позицию и количество

Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.

2

Отправьте RFQ или запрос на образец

Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.

3

Согласуйте доставку, оплату и документы

До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.

Какие policy обычно проверяют покупатели

Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.

Получить образец

Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.

Запросить образцы

Доставка и отгрузка

Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.

Посмотреть условия доставки

Условия оплаты

Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.

Посмотреть условия оплаты

Центр качества и прослеживаемости

Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.

Посмотреть quality workflow

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.21.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Manufacturer
Vishay
Width
1.7mm
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Max Power Dissipation
830mW
Series
TrenchFET®
Resistance
200mOhm
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Length
3.1mm
Height
1mm
Element Configuration
Dual
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Drain Current-Max (Abs) (ID)
2A
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Continuous Drain Current (ID)
19A
Power Dissipation
830mW
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
FET Type
N and P-Channel
Threshold Voltage
600mV
Nominal Vgs
600 mV
Fall Time (Typ)
34 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125m Ω @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250μA (Min)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A 1.5A
Manufacturer's Part No.
SI3585DV-T1-E3
Base Part Number
SI3585
Terminal Finish
MATTE TIN
Turn On Delay Time
11 ns
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rise Time
34ns
Number of Elements
2
Turn-Off Delay Time
19 ns
FET Feature
Logic Level Gate

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI3585DV-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое SI3585DV-T1-E3?

SI3585DV-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для SI3585DV-T1-E3?

Для SI3585DV-T1-E3 указан корпус TSOP. Текущее описание товара: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли SI3585DV-T1-E3 в наличии?

Сейчас на странице указано 65581 шт. на складе и 75209 шт. доступно для SI3585DV-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для SI3585DV-T1-E3?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI3585DV-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для SI3585DV-T1-E3?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI3585DV-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом SI3585DV-T1-E3?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI3585DV-T1-E3.

Еще материалы по закупкам

Статьи

Изучите материалы о SI3585DV-T1-E3, категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

широкозонные полупроводникиSiCGaN

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС