Получить образец
Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.
Запросить образцыVishayДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеVishay Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
SQD35N05-26L-GE3 Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay
SQD35N05-26L-GE3 — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. Известный корпус сейчас указан как TO252 в карточке бренда Vishay. MOSFET N-CH 55V 30A TO252. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для SQD35N05-26L-GE3, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Проверка подлинности и прослеживаемости
Быстрый ответ по RFQ
Поддержка по документации
Проверка перед отгрузкой
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Основные характеристики
-
Техническое описание
Открыть datasheet SQD35N05-26L-GE3Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SQD35N05-26L-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
RoHS, REACH и lead-free документацию можно подтвердить на этапе RFQ
Traceability и Certificate of Conformance доступны по запросу
Поддержка pre-shipment inspection report для quality review
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Процесс заказа
Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку
Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.
Как заказать этот товар
Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.
1
Проверьте позицию и количество
Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.
2
Отправьте RFQ или запрос на образец
Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.
3
Согласуйте доставку, оплату и документы
До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.
Какие policy обычно проверяют покупатели
Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.
Доставка и отгрузка
Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.
Посмотреть условия доставкиУсловия оплаты
Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.
Посмотреть условия оплатыЦентр качества и прослеживаемости
Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.
Посмотреть quality workflowСтруктурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Package Parameter
Diameter
4.75mm
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
20 ns
Product Parameter
Rise Time
18ns
Diameter
4.75mm
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
Turn-Off Delay Time
20 ns
Rise Time
18ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Drain to Source Resistance
20mOhm
Turn On Delay Time
5 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Rds On Max
20 mΩ
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Min Operating Temperature
-65°C
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount, Through Hole
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Tolerance
1%
Published
2015
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Height
2.39mm
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Length
6.73mm
Series
TrenchFET®
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Number of Pins
3
Width
6.22mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
175°C
Continuous Drain Current (ID)
30A
Drain to Source Breakdown Voltage
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A Tc
Power Dissipation-Max
50W Tc
Power Dissipation
50W
Fall Time (Typ)
100 ns
Weight
1.437803g
Power Rating
3W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Composition
Wirewound
Input Capacitance
1.175nF
Temperature Coefficient
50 ppm/°C
Manufacturer's Part No.
SQD35N05-26L-GE3
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1175pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 20A, 10V
Resistance
2.26Ohm
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SQD35N05-26L-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Что такое SQD35N05-26L-GE3?
SQD35N05-26L-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Какой корпус и описание указаны для SQD35N05-26L-GE3?
Для SQD35N05-26L-GE3 указан корпус TO252. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 55V 30A TO252. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SQD35N05-26L-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 64401 шт. на складе и 33949 шт. доступно для SQD35N05-26L-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SQD35N05-26L-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SQD35N05-26L-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SQD35N05-26L-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SQD35N05-26L-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SQD35N05-26L-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SQD35N05-26L-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IPP100N06S3L-03
132 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
Ориентировочная цена
Требуется запрос
NTD14N03R-001
157 покупали
TO-251-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Ориентировочная цена
Требуется запрос
NTD23N03RT4
178 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
Ориентировочная цена
Требуется запрос
IXFV22N50P
190 покупали
TO-220-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
Ориентировочная цена
Требуется запросЕще материалы по закупкам
Статьи
Изучите материалы о SQD35N05-26L-GE3, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.
17 июл. 2026 г.
Поставки FPGA в 2026 году: структура выбора для закупок AMD Xilinx, Intel, Microchip и LatticeРуководство по закупке FPGA для production BOM в 2026 году: жизненный цикл, стоимость редизайна и границы квалификации для семейств AMD Xilinx, Intel, Microchip PolarFire и Lattice.
FPGAAMD XilinxIntel
11 июл. 2026 г.
Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важенСрез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.
широкозонные полупроводникиSiCGaN
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИСОриентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС