Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo

SIR401DP-T1-GE3 Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay

SIR401DP-T1-GE3 — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для SIR401DP-T1-GE3, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.

RoHS
Datasheet
SIR401DP-T1-GE3 Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay | TrustCompo
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Проверка подлинности и прослеживаемости

Быстрый ответ по RFQ

Поддержка по документации

Проверка перед отгрузкой

Номер детали

SIR401DP-T1-GE3

Внутренний код

TCE000095940

Упаковка

-

Производитель

Vishay

Ключевые характеристики

Серия

TrenchFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Основные характеристики

-

Техническое описание

Открыть datasheet SIR401DP-T1-GE3

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для SIR401DP-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet SIR401DP-T1-GE3

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Процесс заказа

Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку

Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.

Как заказать этот товар

Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.

1

Проверьте позицию и количество

Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.

2

Отправьте RFQ или запрос на образец

Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.

3

Согласуйте доставку, оплату и документы

До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.

Какие policy обычно проверяют покупатели

Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.

Получить образец

Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.

Запросить образцы

Доставка и отгрузка

Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.

Посмотреть условия доставки

Условия оплаты

Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.

Посмотреть условия оплаты

Центр качества и прослеживаемости

Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.

Посмотреть quality workflow

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Turn On Delay Time

140 ns

Product Parameter

Number of Channels

1

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

300 ns

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Product Parameter

Rise Time

130ns

Turn On Delay Time
140 ns
Number of Channels
1
Turn-Off Delay Time
300 ns
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Rise Time
130ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-C5
Part Status
Active
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Published
2016
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Terminal Form
C BEND
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Weight
506.605978mg
Series
TrenchFET®
Power Dissipation
5W
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Avalanche Energy Rating (Eas)
45 mJ
Height
1.12mm
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Threshold Voltage
-600mV
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Vgs (Max)
±12V
Fall Time (Typ)
100 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A Tc
Continuous Drain Current (ID)
50A
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 10V
Drain-source On Resistance-Max
0.0032Ohm
Width
5.26mm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2m Ω @ 15A, 10V
Length
6.25mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
310nC @ 10V
Manufacturer's Part No.
SIR401DP-T1-GE3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9080pF @ 10V
Power Dissipation-Max
5W Ta 39W Tc

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIR401DP-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое SIR401DP-T1-GE3?

SIR401DP-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для SIR401DP-T1-GE3?

Для SIR401DP-T1-GE3 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли SIR401DP-T1-GE3 в наличии?

Сейчас на странице указано 74854 шт. на складе и 62465 шт. доступно для SIR401DP-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для SIR401DP-T1-GE3?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIR401DP-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для SIR401DP-T1-GE3?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIR401DP-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом SIR401DP-T1-GE3?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIR401DP-T1-GE3.

Еще материалы по закупкам

Статьи

Изучите материалы о SIR401DP-T1-GE3, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

широкозонные полупроводникиSiCGaN

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС