Получить образец
Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.
Запросить образцыInfineon TechnologiesДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
IRFHM8334TRPBF Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies
IRFHM8334TRPBF — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для IRFHM8334TRPBF, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Проверка подлинности и прослеживаемости
Быстрый ответ по RFQ
Поддержка по документации
Проверка перед отгрузкой
Ключевые характеристики
Серия
HEXFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Основные характеристики
-
Техническое описание
Открыть datasheet IRFHM8334TRPBFТехнический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для IRFHM8334TRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Процесс заказа
Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку
Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.
Как заказать этот товар
Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.
1
Проверьте позицию и количество
Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.
2
Отправьте RFQ или запрос на образец
Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.
3
Согласуйте доставку, оплату и документы
До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.
Какие policy обычно проверяют покупатели
Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.
Доставка и отгрузка
Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.
Посмотреть условия доставкиУсловия оплаты
Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.
Посмотреть условия оплатыЦентр качества и прослеживаемости
Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.
Посмотреть quality workflowСтруктурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
7 ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Product Parameter
Rise Time
14ns
Product Parameter
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Turn-Off Delay Time
7 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rise Time
14ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Turn On Delay Time
8.3 ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
S-PDSO-F5
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Factory Lead Time
17 Weeks
Terminal Position
DUAL
Published
2013
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Package / Case
8-PowerTDFN
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Terminal Form
FLAT
Threshold Voltage
1.8V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Power Dissipation
2.7W
Drain-source On Resistance-Max
0.009Ohm
Continuous Drain Current (ID)
13A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A Ta
Drain Current-Max (Abs) (ID)
25A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
DS Breakdown Voltage-Min
30V
Fall Time (Typ)
4.6 ns
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25μA
Avalanche Energy Rating (Eas)
35 mJ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9m Ω @ 20A, 10V
Power Dissipation-Max
2.7W Ta 28W Tc
Manufacturer's Part No.
IRFHM8334TRPBF
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFHM8334TRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.
Что такое IRFHM8334TRPBF?
IRFHM8334TRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Какой корпус и описание указаны для IRFHM8334TRPBF?
Для IRFHM8334TRPBF указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли IRFHM8334TRPBF в наличии?
Сейчас на странице указано 94783 шт. на складе и 53707 шт. доступно для IRFHM8334TRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для IRFHM8334TRPBF?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFHM8334TRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для IRFHM8334TRPBF?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFHM8334TRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом IRFHM8334TRPBF?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFHM8334TRPBF.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IPI076N12N3GAKSA1
216 покупали
TO262
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Ориентировочная цена
$1.78
Еще материалы по закупкам
Статьи
Изучите материалы о IRFHM8334TRPBF, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.
17 июл. 2026 г.
Поставки FPGA в 2026 году: структура выбора для закупок AMD Xilinx, Intel, Microchip и LatticeРуководство по закупке FPGA для production BOM в 2026 году: жизненный цикл, стоимость редизайна и границы квалификации для семейств AMD Xilinx, Intel, Microchip PolarFire и Lattice.
FPGAAMD XilinxIntel
11 июл. 2026 г.
Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важенСрез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.
широкозонные полупроводникиSiCGaN
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИСОриентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС