Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных IRFR220NTRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных IRFR220NTRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IRFR220NTRPBF
Внутренний код
TCE000008148
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии968,693
Доступно939,593

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Voltage - Rated DC
200V
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Drain Current-Max (Abs) (ID)
5A
Continuous Drain Current (ID)
5A
Current Rating
5A
Switching Current
5A
Lead Free
Lead Free
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2004
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Width
6.22mm
Height
2.52mm
Length
6.7056mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Fall Time (Typ)
12 ns
Element Configuration
Single
Threshold Voltage
4V
Recovery Time
140 ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
20A
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Manufacturer's Part No.
IRFR220NTRPBF
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600m Ω @ 2.9A, 10V
Manufacturer
Infineon Technologies
Resistance
600MOhm
Series
HEXFET®
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5A Tc
Power Dissipation
43W
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Max Junction Temperature (Tj)
175°C
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Nominal Vgs
4 V
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Power Dissipation-Max
43W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Avalanche Energy Rating (Eas)
46 mJ
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA

Product Parameter

Dual Supply Voltage
200V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
20 ns
Rise Time
11ns
Turn On Delay Time
6.4 ns

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Статьи

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.