Поставка оригинальных NID9N05CLT4G, PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers, от ON Semiconductor

Поставка оригинальных NID9N05CLT4G, PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers, от ON Semiconductor | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
NID9N05CLT4G
Внутренний код
TCE000008536
Упаковка
-
Серия
Automotive, AEC-Q101
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH CLAMP 9A 52V DPAK
Минимальное количество
1
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Integrated Circuits (ICs)
Подкатегория
PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers
Техническое описание
-

Доступность

В наличии183,796
Доступно947,161

Диапазон цен

Пока нет данных

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Обзор

Power MOSFET9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK PackageBenefits
• High Energy Capability for Inductive Loads
• Low Switching Noise Generation
Features
• Diode Clamp Between Gate and Source
• ESD Protection − HBM 5000 V
• Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp
• Scalable to Lower or Higher RDS(on)
• Internal Series Gate Resistance
• Pb−Free Packages are AvailableApplications
• Automotive and Industrial Markets: Solenoid Drivers, Lamp Drivers, Small Motor Drivers

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS Compliant
ECCN Code
EAR99
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Elements
1
Input Type
Non-Inverting
Terminal Finish
Tin (Sn)
Drain to Source Voltage (Vdss)
52V
Dual Supply Voltage
52V
Clamping Voltage
59V
Drain to Source Resistance
90mOhm
Voltage - Load
52V Max
Rds On (Typ)
90m Ω
Output Configuration
Low Side
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Turn-Off Delay Time
2.5 μs
Rise Time
500ns
Fault Protection
Over Voltage
Voltage - Supply (Vcc/Vdd)
Not Required

Product Attribute

Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Number of Outputs
1
Lead Free
Lead Free
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Number of Pins
3
Pin Count
3
Drain Current-Max (Abs) (ID)
9A
Current Rating
9A
Max Output Current
9A
Continuous Drain Current (ID)
9A
Packaging
Tape & Reel (TR)
Reflow Temperature-Max (s)
40
Part Status
Obsolete
Termination
SMD/SMT
Categories
Integrated Circuits (ICs)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Gate to Source Voltage (Vgs)
15V
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Threshold Voltage
1.75V
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type
N-Channel
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Sub-Categories
PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers
Base Part Number
NID9N05CL
Series
Automotive, AEC-Q101
Lifecycle Status
CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer's Part No.
NID9N05CLT4G
Voltage - Rated DC
52V
Drain to Source Breakdown Voltage
52V
Power Dissipation
28.8W
Max Power Dissipation
28.8W
Nominal Vgs
1.75 V
Resistance
90mOhm
Additional Feature
ESD PROTECTED
Switch Type
Relay, Solenoid Driver
Interface
On/Off
Fall Time (Typ)
1.8 μs

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.