Поставка оригинальных DG419LDY-E3, Interface - Analog Switches, Multiplexers, Demultiplexers, от Vishay

Поставка оригинальных DG419LDY-E3, Interface - Analog Switches, Multiplexers, Demultiplexers, от Vishay | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
DG419LDY-E3
Внутренний код
TCE000008955
Упаковка
8SOIC
Серия
-
Основные характеристики
-
Описание
IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
Минимальное количество
1
Производитель
Vishay
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Interface - Analog Switches, Multiplexers, Demultiplexers
Техническое описание
-

Доступность

В наличии866,363
Доступно926,278

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8542.39.0001

Product Parameter

Number of Inputs
1
Number of Channels
1
Dual Supply Voltage
5V
Min Dual Supply Voltage
3V
Supply Type
Dual, Single
Multiplexer/Demultiplexer Circuit
2:1
Switch Circuit
SPDT
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup)
-5V
Switching
BREAK-BEFORE-MAKE
Current - Leakage (IS(off)) (Max)
1nA
Max Dual Supply Voltage
6V
Turn-Off Delay Time
32 ns
Off-state Isolation-Nom
71 dB
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))
5pF
On-State Resistance (Max)
20Ohm
Drain to Source Resistance
35Ohm
Voltage - Supply, Single/Dual (±)
2.7V~12V ±3V~6V
Crosstalk
-71dB @ 1MHz
Turn On Delay Time
41 ns

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
NO
Width
4mm
Number of Outputs
2
Pbfree Code
Yes
ECCN
EAR99
Number of Functions
1
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Length
5mm
Published
2009
Reflow Temperature-Max (s)
40
Max Supply Voltage
12V
Part Status
Obsolete
Number of Terminations
8
Number of Pins
8
Pin Count
8
Series
-
Operating Supply Current
1μA
Max Supply Current
1μA
Min Supply Voltage
2.7V
Categories
Integrated Circuits (ICs)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
High Level Output Current
30mA
Terminal Form
GULL WING
Supply Voltage
5V
Operating Temperature
-40°C~85°C TA
Sub-Categories
Interface - Analog Switches, Multiplexers, Demultiplexers
Subcategory
Multiplexer or Switches
Polarity
Non-Inverting
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Additional Feature
VIDEO APPLICATION
Technology
BICMOS
Height
1.55mm
Manufacturer
Vishay
Charge Injection
1pC
Power Dissipation
400mW
Max Power Dissipation
400mW
Nominal Supply Current
20nA
Resistance
18.5Ohm
Base Part Number
DG419
Switch Time (Ton, Toff) (Max)
43ns, 31ns
Weight
540.001716mg
Manufacturer's Part No.
DG419LDY-E3
Switch-off Time-Max
33ns
Switch-on Time-Max
44ns

Статьи

Это руководство представляет собой прямое сравнение поколений HBM (вплоть до HBM3e), анализирует рыночный ландшафт, в котором доминируют SK Hynix, Samsung и Micron, и предлагает важнейший контрольный список для закупок. Оно завершается практическим примером, дающим рекомендации по требованиям к емкости и пропускной способности (например, для LLM с 175 млрд параметров), что позволяет компаниям принимать обоснованные решения для своих высокопроизводительных систем ИИ.

Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.