Поставка оригинальных MUR4100EG, Diodes - Rectifiers - Single, от ON Semiconductor

Поставка оригинальных MUR4100EG, Diodes - Rectifiers - Single, от ON Semiconductor | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
MUR4100EG
Внутренний код
TCE000009445
Упаковка
-
Серия
SWITCHMODE™
Основные характеристики
-
Описание
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD
Минимальное количество
1
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Diodes - Rectifiers - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии904,002
Доступно40,206

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Обзор

The MUR4100EG is an ultrafast switching diode designed for high-efficiency rectification in power supply applications.

Key Features:

  • Reverse voltage: 1000V
  • Forward current: 4A
  • Ultrafast recovery time
  • Low forward voltage drop
  • High surge current capability
  • TO-220AC package

Applications:

  • Switch mode power supplies
  • Freewheeling diodes
  • Snubber diodes
  • Output rectification

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Surface Mount
NO
Number of Terminations
2
Pin Count
2
Number of Pins
2
Mounting Type
Through Hole
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Packaging
Bulk
Min Operating Temperature
-65°C
Factory Lead Time
12 Weeks
Current Rating
4A
Output Current
4A
Reflow Temperature-Max (s)
40
Published
2000
Halogen Free
Halogen Free
Width
63.5mm
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Voltage - Rated DC
1kV
Length
5.2832mm
Element Configuration
Single
Recovery Time
100 ns
Height
9.5mm
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
Isolated
Max Operating Temperature
175°C
Categories
Discrete Semiconductor Products
Technology
AVALANCHE
Weight
4.535924g
Subcategory
Rectifier Diodes
Additional Feature
FREE WHEELING DIODE
Terminal Form
WIRE
Package / Case
DO-201AA, DO-27, Axial
HTS Code
8541.10.00.80
Manufacturer's Part No.
MUR4100EG
Series
SWITCHMODE™
Base Part Number
MUR4100
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Single

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not applicable
HTSUS
8541.10.0080

Product Parameter

Number of Phases
1
Number of Elements
1
Average Rectified Current
4A
Forward Current
4A
Reverse Voltage
1kV
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
1kV
Breakdown Voltage
1kV
Max Reverse Voltage (DC)
1kV
Reverse Recovery Time
100 ns
Diode Type
Standard
Peak Reverse Current
25μA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1000V
Diode Element Material
SILICON
Max Surge Current
70A
Max Forward Surge Current (Ifsm)
70A
Peak Non-Repetitive Surge Current
70A
Current - Reverse Leakage @ Vr
25μA @ 1000V
Application
ULTRA FAST RECOVERY POWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.85V @ 4A
Forward Voltage
1.85V
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction
-65°C~175°C

Package Parameter

Diameter
5.3mm

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.