Поставка оригинальных IRLR024NTRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Доступность
Диапазон цен
Качество | Цена за единицу |
---|---|
1 | |
10 | |
30 | |
100 | |
500 | |
1,000 |
Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.
Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.
Обзор
The IRLR024NTRPBF is a N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Infineon Technologies. This component is designed for high-efficiency power management applications, making it suitable for a variety of uses in both consumer and industrial electronics.
Key Features:
-
N-Channel Configuration: The IRLR024NTRPBF is an N-channel MOSFET, which means it uses electrons as the charge carriers. This configuration typically offers lower on-resistance and higher efficiency compared to P-channel MOSFETs.
-
Voltage Rating: The device has a maximum drain-source voltage (V_DS) rating of 30V, making it suitable for low to medium voltage applications.
-
Current Rating: It can handle a continuous drain current (I_D) of up to 60A, which allows it to manage significant power loads effectively.
-
On-Resistance: The on-resistance (R_DS(on)) is typically around 0.025 ohms at a gate-source voltage (V_GS) of 10V. This low on-resistance contributes to reduced power losses and improved thermal performance during operation.
-
Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage (V_GS(th)) is in the range of 1V to 2V, which allows for easy driving with standard logic levels.
-
Package Type: The IRLR024NTRPBF is available in a TO-220 package, which provides good thermal performance and is easy to mount on a heatsink for enhanced heat dissipation.
-
Fast Switching Speed: This MOSFET is designed for fast switching applications, making it ideal for use in power supplies, motor drivers, and other applications where rapid on/off switching is required.
-
Thermal Characteristics: The device has a maximum junction temperature (T_J) of 175°C, allowing it to operate in demanding thermal environments.
-
RoHS Compliance: The IRLR024NTRPBF is compliant with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive, ensuring that it is free from certain hazardous materials.
Applications:
- Power Management: Used in DC-DC converters, power supplies, and battery management systems.
- Motor Control: Suitable for driving motors in various applications, including robotics and industrial automation.
- Switching Regulators: Ideal for use in synchronous rectification and other switching applications.
- LED Drivers: Can be used in circuits designed to drive LED lighting systems efficiently.
Conclusion:
The IRLR024NTRPBF from Infineon Technologies is a versatile and efficient N-channel MOSFET that is well-suited for a wide range of applications requiring reliable power management and switching capabilities. Its combination of high current handling, low on-resistance, and fast switching speed makes it a popular choice among engineers and designers in the electronics industry.
Product Attribute
Export Classifications & Environmental
Product Parameter
Статьи
Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.
Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.
Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.