Поставка оригинальных IRFR5505TRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных IRFR5505TRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IRFR5505TRPBF
Внутренний код
TCE000009752
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии318,907
Доступно160,320

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Обзор

The IRFR5505TRPBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Power MOSFETs are semiconductor devices commonly used in power management and switching applications.

Key Features:

  • Type: Power MOSFET.
  • Voltage Rating: Specifies the maximum drain-source voltage that the MOSFET can withstand without breakdown.
  • Continuous Drain Current: Specifies the maximum continuous drain current that the MOSFET can handle.
  • RDS(ON): On-resistance of the MOSFET when it is fully turned on, indicating its conduction efficiency.
  • Gate Threshold Voltage: Voltage at which the MOSFET starts to conduct when the gate-source voltage is applied.
  • Package Type: Available in various surface-mount packages for easy integration into PCB designs.
  • RoHS Compliance: Indicates whether the MOSFET complies with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive, restricting the use of certain hazardous materials.

Applications: 

  • Power management: Switching regulators, DC-DC converters, and voltage regulators in power supplies.
  • Motor control: Brushed DC motor drivers, brushless DC motor controllers, and stepper motor drivers.
  • Lighting: LED drivers, ballast circuits, and high-intensity discharge (HID) lamp ballasts.
  • Automotive electronics: Battery management systems, electric vehicle (EV) chargers, and powertrain control modules.
  • Industrial automation: Power inverters, servo drives, and industrial motor control systems.
  • Consumer electronics: Audio amplifiers, switch-mode power supplies, and battery charging circuits.

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
12 ns
Turn-Off Delay Time
20 ns
Rise Time
28ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Dual Supply Voltage
-55V

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
1997
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Width
6.22mm
Height
2.52mm
Length
6.7056mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Fall Time (Typ)
16 ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Resistance
110mOhm
Nominal Vgs
-4 V
Threshold Voltage
-4V
Additional Feature
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Drain to Source Breakdown Voltage
-55V
Voltage - Rated DC
-55V
Power Dissipation-Max
57W Tc
Manufacturer's Part No.
IRFR5505TRPBF
Current Rating
-18A
Continuous Drain Current (ID)
-18A
Recovery Time
77 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110m Ω @ 9.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A Tc
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
64A
Power Dissipation
57W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.