Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных IRF3710ZSTRLPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных IRF3710ZSTRLPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IRF3710ZSTRLPBF
Внутренний код
TCE000009753
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии585,162
Доступно734,963

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2003
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated DC
100V
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Width
9.65mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Recovery Time
75 ns
Element Configuration
Single
Threshold Voltage
4V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Length
10.668mm
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Max Junction Temperature (Tj)
175°C
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Fall Time (Typ)
56 ns
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Continuous Drain Current (ID)
59A
Current Rating
59A
Avalanche Energy Rating (Eas)
200 mJ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Power Dissipation-Max
160W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18m Ω @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
59A Tc
Resistance
18MOhm
Additional Feature
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
240A
Height
5.084mm
Power Dissipation
160W
Manufacturer's Part No.
IRF3710ZSTRLPBF

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Channels
1
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
100V
Reverse Recovery Time
50 ns
Turn-Off Delay Time
41 ns
Turn On Delay Time
17 ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Rise Time
77ns

Статьи

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.