Поставка оригинальных IXFN24N100, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от IXYS

Поставка оригинальных IXFN24N100, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от IXYS | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IXFN24N100
Внутренний код
TCE000009873
Упаковка
SOT-
Серия
HiPerFET™
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Минимальное количество
1
Производитель
IXYS
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии114,796
Доступно539,822

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Radiation Hardening
NO
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Pin Count
4
Number of Terminations
4
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Number of Pins
3
Factory Lead Time
4 Weeks
Part Status
Obsolete
Published
2000
Threshold Voltage
5.5V
Height
9.6mm
Drain to Source Breakdown Voltage
1kV
Voltage - Rated DC
1kV
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Continuous Drain Current (ID)
24A
Current Rating
24A
Element Configuration
Single
Recovery Time
250 ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Case Connection
Isolated
Termination
Screw
Fall Time (Typ)
21 ns
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Width
25.42mm
Power Dissipation-Max
568W Tc
Mounting Type
Chassis Mount
Isolation Voltage
2.5kV
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Nominal Vgs
5.5 V
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Manufacturer
IXYS
Manufacturer's Part No.
IXFN24N100
Series
HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390m Ω @ 12A, 10V
Resistance
390mOhm
Weight
40g
Length
38.23mm
Power Dissipation
600W
Mount
Chassis Mount, Panel, Screw
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
96A
Terminal Form
UNSPECIFIED
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
267nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A Tc
Additional Feature
AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
Terminal Position
UPPER

Export Classifications & Environmental

ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not applicable
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-PUFM-X4

Product Parameter

Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
1kV
Rise Time
35ns
Turn-Off Delay Time
75 ns
Reverse Recovery Time
250 ns
Turn On Delay Time
35 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V
Terminal Finish
Nickel (Ni)

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.