Поставка оригинальных OPA1632DGNR, Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps, от texas
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Доступность
Диапазон цен
| Качество | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | |
| 10 | |
| 30 | |
| 100 | |
| 500 | |
| 1,000 |
Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.
Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.
Обзор
The UTC OPA2336 is a CMOS operational amplifier. It is operated on a 2.1V (Min.) single supply. A100kΩ load is driven by the rail-to-rail output and the accuracy of the output voltage is ensured at ± 3mV.
The UTC OPA2336 is characterized by its low quiescent current (20μA/amplifier), low offset voltage (125μV max), low input bias current (1pA), and high open-loop gain (115dB).
The UTC OPA2336 features completely independent circuitry for lowest crosstalk and freedom from interaction.
The UTC OPA2336 is particularly designed for battery-powered applications and the common-mode range extending to the negative supply makes it ideal for single-supply applications.In addition to the applications mentioned above, the UTC OPA2336 is suitable for portable devices, high-Impedance applications, photodiode, pre-amps, precision integrators, medical instruments, and test equipment.
FEATURES
* Operating on a Single-Supply
* Rail-to-Rail Output (Accuracy: ± 3mv)
* Low Power Dissipation: IQ=20μA/Amplifier
* Low Offset Voltage up to 125μV (MAX.)
* Power Supply Specified from 2.3V to 5.5V
* Halogen Free
Product Attribute
Product Parameter
Export Classifications & Environmental
Статьи
Это руководство представляет собой прямое сравнение поколений HBM (вплоть до HBM3e), анализирует рыночный ландшафт, в котором доминируют SK Hynix, Samsung и Micron, и предлагает важнейший контрольный список для закупок. Оно завершается практическим примером, дающим рекомендации по требованиям к емкости и пропускной способности (например, для LLM с 175 млрд параметров), что позволяет компаниям принимать обоснованные решения для своих высокопроизводительных систем ИИ.
Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.
Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.
Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.