Поставка оригинальных 74LVTH16374DLRG4, Logic - Flip Flops, от texas
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Доступность
Диапазон цен
| Качество | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | |
| 10 | |
| 30 | |
| 100 | |
| 500 | |
| 1,000 |
Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.
Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.
Обзор
The LVT16374 and LVTH16374 contain sixteen non-inverting D-type flip-flops with 3-STATE outputs and is intended for bus oriented applications.
The device is byte controlled.
The LVTH16374 data inputs include bushold, eliminating the need for external pull-up resistors to hold unused inputs.
These flip-flops are designed for low-voltage (3.3V) VCC applications, but with the capability to provide a TTL interface to a 5V environment.
The LVT16374 and LVTH16374 are fabricated with an advanced BiCMOS technology to achieve high speed operation similar to 5V ABT while maintaining a low power dissipation.
Features
• Input and output interface capability to systems at 5V VCC
• Bushold data inputs eliminate the need for external pull-up resistors to hold unused inputs (74LVTH16374), also available without bushold feature (74LVT16374)
• Live insertion/extraction permitted
• Power Up/Power Down high impedance provides glitch-free bus loading
• Outputs source/sink −32 mA/+64 mA
• Functionally compatible with the 74 series 16374
• Latch-up performance exceeds 500 mA
• ESD performance: Human-body model > 2000V Machine model > 200V Charged-device model > 1000V
• Also packaged in plastic Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA)
Product Attribute
Product Parameter
Export Classifications & Environmental
Статьи
Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.
Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.
Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.