Поставка оригинальных LF347DR, Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps, от texas

Поставка оригинальных LF347DR, Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps, от texas | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
LF347DR
Внутренний код
TCE000012028
Упаковка
14SOIC
Серия
-
Основные характеристики
-
Описание
IC OPAMP JFET 3MHZ 14SOIC
Минимальное количество
1
Производитель
texas
Категория
Integrated Circuits (ICs)
Подкатегория
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
Техническое описание
-

Доступность

В наличии436,337
Доступно308,126

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Обзор

NECs NX8564/8565/8566LE Series is an Electro-Absorption (EA) modulator integrated, 1550 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode.
The module is capable of 2.5 Gb/s applications of over 360 km, 600 km, 240 km ultralong-reach and available for Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM) wavelengths based on ITU-T recommendations, enabling a wide range of applications.
FEATURES
• INTEGRATED ELECTROABSORPTION MODULATOR
• VERY LOW DISPERSION PENALTY: Over 360 km (6480 ps/nm), NX8564LE-BC/CC Over 600 km (10800 ps/nm), NX8565LE-BC/CC Over 240 km (4320 ps/nm), NX8566LE-BC/CC
• LOW MODULATION VOLTAGE
• AVAILABLE FOR DWDM WAVELENGTH BASED ON ITU-T RECOMMENDATION 100 GHz grid, refer to ORDERING INFORMATION

Product Parameter

Low-Offset
NO
Programmable Power
NO
Micropower
NO
Frequency Compensation
Yes
Low-Bias
Yes
Number of Channels
4
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup)
-15V
Dual Supply Voltage
9V
Supply Voltage Limit-Max
18V
Power Supply Rejection Ratio (PSRR)
80dB
Voltage - Input Offset
5mV
Voltage Gain
100dB
Unity Gain BW-Nom
3000 kHz
Amplifier Type
J-FET
Voltage - Supply, Single/Dual (±)
7V~36V ±3.5V~18V
Bias Current-Max (IIB) @25C
0.0002μA
Average Bias Current-Max (IIB)
0.0002μA
Power Supplies
+-15V
Current - Input Bias
50pA

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
HTSUS
8542.33.0001

Product Attribute

Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Contact Plating
Gold
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Number of Functions
4
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount
Number of Pins
14
Number of Terminations
14
Pin Count
14
Terminal Pitch
1.27mm
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Thickness
1.58mm
Series
-
Categories
Integrated Circuits (ICs)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Supply Voltage
15V
Manufacturer
Texas
Width
3.91mm
Height
1.75mm
Common Mode Rejection Ratio
70 dB
Length
8.65mm
Subcategory
Operational Amplifier
Sub-Categories
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
Packing Method
TR
Nominal Supply Current
11mA
Architecture
VOLTAGE-FEEDBACK
Operating Supply Current
8mA
Package / Case
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature
0°C~70°C
Neg Supply Voltage-Max (Vsup)
-18V
Input Offset Voltage (Vos)
10mV
Bandwidth
3MHz
Base Part Number
LF347
Slew Rate
13V/μs
Technology
JFET
Manufacturer's Part No.
LF347DR
Max Power Dissipation
608mW
Power Dissipation
608mW

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.