Поставка оригинальных IRLR120NTRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных IRLR120NTRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IRLR120NTRPBF
Внутренний код
TCE000012713
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии602,856
Доступно985,752

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2004
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated DC
100V
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Width
6.22mm
Height
2.52mm
Length
6.7056mm
Continuous Drain Current (ID)
10A
Threshold Voltage
2V
Element Configuration
Single
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
Recovery Time
160 ns
Fall Time (Typ)
22 ns
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Max Junction Temperature (Tj)
175°C
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Current Rating
11A
Vgs (Max)
±16V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4V 10V
Nominal Vgs
2 V
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250μA
Avalanche Energy Rating (Eas)
85 mJ
Power Dissipation-Max
48W Tc
Power Dissipation
48W
Manufacturer's Part No.
IRLR120NTRPBF
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Resistance
185mOhm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Channels
1
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
100V
Rise Time
35ns
Turn On Delay Time
4 ns
Turn-Off Delay Time
23 ns

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.