Поставка оригинальных ZXM61P02FTA, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Diodes Incorporated

Поставка оригинальных ZXM61P02FTA, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Diodes Incorporated | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
ZXM61P02FTA
Внутренний код
TCE000012720
Упаковка
SOT23
Серия
-
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
Минимальное количество
1
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии75,602
Доступно161,135

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Parameter

Number of Elements
1
Number of Channels
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Dual Supply Voltage
-20V
Rise Time
6.7ns
Turn On Delay Time
2.9 ns
Turn-Off Delay Time
11.2 ns

Product Attribute

Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount
Published
2006
Pin Count
3
Number of Pins
3
Number of Terminations
3
Packaging
Tape & Reel (TR)
Reflow Temperature-Max (s)
40
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Factory Lead Time
17 Weeks
Length
3.04mm
Series
-
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Width
1.4mm
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Voltage - Rated DC
-20V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Height
1.1mm
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Resistance
600MOhm
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Manufacturer
Diodes Incorporated
Vgs (Max)
±12V
Power Dissipation
625mW
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight
7.994566mg
Manufacturer's Part No.
ZXM61P02FTA
Nominal Vgs
-700 mV
Additional Feature
LOW THRESHOLD
Current Rating
-800mA
Power Dissipation-Max
625mW Ta
Fall Time (Typ)
6.7 ns
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Drain Current-Max (Abs) (ID)
0.9A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 15V
Continuous Drain Current (ID)
900mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
900mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.7V 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600m Ω @ 610mA, 4.5V

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.