Поставка оригинальных CD40109BPWR, Logic - Translators, Level Shifters, от texas
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Доступность
Диапазон цен
Качество | Цена за единицу |
---|---|
1 | |
10 | |
30 | |
100 | |
500 | |
1,000 |
Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.
Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.
Обзор
The CD40109BMS, unlike other low-to-high level shifting circuits, does not require the presence of the high voltage supply (VDD) before the application of either the low voltage supply (VCC) or the input signals.
There are no restrictions on the sequence of application of VDD, VCC, or the input signals. In addition, with one exception there are no restrictions on the relative magnitudes of the supply voltages or input signals within the device maximum ratings, provided that the input signal swings between VSS and at least 0.7VCC; VCC may exceed VDD, and input signals may exceed VCC and VDD. When operated in the mode VCC > VDD, the CD40109BMS will operate as a high-to-low level shifter.
Features
• High Voltage Type (20V Rating)
• Independence of Power Supply Sequence Considerations - VCC can Exceed VDD - Input Signals can Exceed Both VCC and VDD
• Up and Down Level Shifting Capability
• Three-State Outputs with Separate Enable Controls
• 100% Tested for Quiescent Current at 20V
• 5V, 10V and 15V Parametric Ratings
• Maximum Input Current of 1µA at 18V Over Full Package Temperature Range; 100nA at 18V and +25oC
• Noise Margin (Over Full Package/Temperature Range) - 1V at VCC = 5V, VDD = 10V - 2V at VCC = 10V, VDD = 15V
• Standardized Symmetrical Output Characteristics
• Meets All Requirements of JEDEC Tentative Standard No. 13B, “Standard Specifications for Description of ‘B’ Series CMOS Devices”Applications
• High or Low Level Shifting with Three-State Outputs for Unidirectional or Bidirectional Bussing
• Isolation of Logic Subsystems Using Separate Power Supplies from Supply Sequencing, Supply Loss and Supply Regulation Considerations
Product Attribute
Export Classifications & Environmental
Product Parameter
Статьи
Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.
Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.
Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.