Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных BAV99-7-F, Diodes - Rectifiers - Arrays, от Diodes Incorporated

Поставка оригинальных BAV99-7-F, Diodes - Rectifiers - Arrays, от Diodes Incorporated | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
BAV99-7-F
Внутренний код
TCE000012799
Упаковка
SOT23
Серия
-
Основные характеристики
-
Описание
DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
Минимальное количество
1
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Diodes - Rectifiers - Arrays
Техническое описание
-

Доступность

В наличии589,122
Доступно794,060

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Обзор

The part number BAV99-7-F is a dual series switching diode manufactured by Diodes Incorporated. Here are the key features and specifications of the BAV99-7-F diode:

Key Features:

  • Type: Dual series switching diode (common cathode)
  • Reverse Voltage (VR): 70V
  • Forward Continuous Current (IF): 200mA per diode (400mA total for both diodes)
  • Forward Surge Current (IFSM): 600mA (per diode, non-repetitive)
  • Junction Capacitance (Cj): 4pF (typical)
  • Package: SOT-23 (3 leads)

Applications:

  • General purpose switching applications
  • High-speed switching
  • Signal demodulation
  • Logic gates
  • Voltage clamping

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.10.0070

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Current
3A
Min Operating Temperature
-65°C
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Number of Terminations
3
Number of Pins
3
Pin Count
3
Packaging
Tape & Reel (TR)
Reflow Temperature-Max (s)
40
Factory Lead Time
17 Weeks
Series
-
Published
2012
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Length
3.05mm
Width
1.4mm
Max Operating Temperature
150°C
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.1mm
Voltage - Rated DC
75V
Voltage
75V
Recovery Time
4 ns
Power Dissipation
350mW
Power Rating
350mW
Current Rating
50mA
Categories
Discrete Semiconductor Products
Subcategory
Rectifier Diodes
Manufacturer
Diodes Incorporated
Additional Feature
HIGH RELIABILITY
HTS Code
8541.10.00.70
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight
7.994566mg
Element Configuration
Common Cathode
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Arrays
Base Part Number
BAV99
Manufacturer's Part No.
BAV99-7-F
Diode Configuration
1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io)
300mA DC

Product Parameter

Number of Elements
2
Peak Non-Repetitive Surge Current
2A
Max Forward Surge Current (Ifsm)
2A
Max Surge Current
2A
Capacitance
2pF
Average Rectified Current
300mA
Diode Type
Standard
Peak Reverse Current
50μA
Reverse Voltage
75V
Max Reverse Voltage (DC)
75V
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
75V
Forward Voltage
1.25V
Reverse Recovery Time
4 ns
Forward Current
150mA
Diode Element Material
SILICON
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction
-65°C~150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr
2.5μA @ 75V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25V @ 150mA

Статьи

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.