Поставка оригинальных BAV103-GS18, Diodes - Rectifiers - Single, от Vishay

Поставка оригинальных BAV103-GS18, Diodes - Rectifiers - Single, от Vishay | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
BAV103-GS18
Внутренний код
TCE000012829
Упаковка
SOD80
Серия
Automotive, AEC-Q101
Основные характеристики
-
Описание
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80
Минимальное количество
1
Производитель
Vishay
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Diodes - Rectifiers - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии987,541
Доступно374,311

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Parameter

Max Surge Current
1A
Max Forward Surge Current (Ifsm)
1A
Peak Non-Repetitive Surge Current
1A
Max Reverse Voltage (DC)
200V
Reverse Voltage
200V
Number of Elements
1
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
250V
Peak Reverse Current
100nA
Max Reverse Leakage Current
100nA
Forward Voltage
1V
Reverse Recovery Time
50 ns
Diode Type
Standard
Terminal Finish
Tin/Silver (Sn/Ag)
Forward Current
250mA
Average Rectified Current
250mA
Diode Element Material
SILICON
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance
1.5pF
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1V @ 100mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
100nA @ 200V
Operating Temperature - Junction
175°C Max

Product Attribute

Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Pin Count
2
Number of Pins
2
Number of Terminations
2
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Voltage
250V
Lead Free
Lead Free
Min Operating Temperature
-65°C
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
11 Weeks
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Width
1.6mm
Height
1.6mm
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Current Rating
100mA
Length
3.7mm
Element Configuration
Single
Recovery Time
50 ns
Power Dissipation
500mW
Manufacturer
Vishay
Case Connection
Isolated
Contact Plating
Silver, Tin
Current
250mA
Max Junction Temperature (Tj)
175°C
Max Operating Temperature
175°C
Categories
Discrete Semiconductor Products
Series
Automotive, AEC-Q101
Subcategory
Rectifier Diodes
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Single
HTS Code
8541.10.00.70
Terminal Form
WRAP AROUND
Manufacturer's Part No.
BAV103-GS18
Package / Case
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Terminal Position
END
Capacitance @ Vr, F
1.5pF @ 0V 1MHz
Current - Average Rectified (Io)
250mA DC
Base Part Number
BAV103

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-609 Code
e2
HTSUS
8541.10.0070

Статьи

Это руководство представляет собой прямое сравнение поколений HBM (вплоть до HBM3e), анализирует рыночный ландшафт, в котором доминируют SK Hynix, Samsung и Micron, и предлагает важнейший контрольный список для закупок. Оно завершается практическим примером, дающим рекомендации по требованиям к емкости и пропускной способности (например, для LLM с 175 млрд параметров), что позволяет компаниям принимать обоснованные решения для своих высокопроизводительных систем ИИ.

Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.