Поставка оригинальных STB150NF55T4, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от STMicroelectronics

Поставка оригинальных STB150NF55T4, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от STMicroelectronics | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
STB150NF55T4
Внутренний код
TCE000012852
Упаковка
-
Серия
STripFET™ II
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Минимальное количество
1
Производитель
STMicroelectronics
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии402,575
Доступно54,351

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Height
6.35mm
Length
6.35mm
Width
6.35mm
Lead Free
Lead Free
Resistance
6mOhm
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Form
GULL WING
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Element Configuration
Single
Peak Reflow Temperature (Cel)
245
Threshold Voltage
4V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Fall Time (Typ)
80 ns
Manufacturer
STMicroelectronics
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Weight
4.535924g
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain to Source Breakdown Voltage
55V
Voltage - Rated DC
55V
Continuous Drain Current (ID)
60A
Series
STripFET™ II
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A Tc
Current Rating
120A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
480A
Power Dissipation
300W
Power Dissipation-Max
300W Tc
Manufacturer's Part No.
STB150NF55T4
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6m Ω @ 60A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 25V
Base Part Number
STB150N
Avalanche Energy Rating (Eas)
850 mJ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Elements
1
Rise Time
180ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Turn-Off Delay Time
140 ns
Turn On Delay Time
35 ns
Dual Supply Voltage
55V

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.