Поставка оригинальных SIR422DP-T1-GE3, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Vishay

Поставка оригинальных SIR422DP-T1-GE3, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Vishay | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
SIR422DP-T1-GE3
Внутренний код
TCE000012853
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Минимальное количество
1
Производитель
Vishay
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии462,160
Доступно398,747

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Pbfree Code
Yes
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
REACH Status
REACH Affected
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount, Through Hole
Width
5.0038mm
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Reflow Temperature-Max (s)
40
Number of Terminations
5
Pin Count
8
Number of Pins
8
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Threshold Voltage
2.5V
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Manufacturer
Vishay
Fall Time (Typ)
11 ns
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
70A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A Tc
Terminal Form
C BEND
Subcategory
FET General Purpose Powers
Length
5.969mm
Weight
506.605978mg
Nominal Vgs
1.2 V
Manufacturer's Part No.
SIR422DP-T1-GE3
Series
TrenchFET®
Continuous Drain Current (ID)
40A
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Power Dissipation-Max
5W Ta 34.7W Tc
Resistance
6.6mOhm
Power Dissipation
5W
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Avalanche Energy Rating (Eas)
45 mJ
Drain Current-Max (Abs) (ID)
20.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1785pF @ 20V
Height
1.12mm

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-XDSO-C5

Product Parameter

Number of Elements
1
Number of Channels
1
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn On Delay Time
19 ns
Turn-Off Delay Time
28 ns
Rise Time
84ns

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.