Поставка оригинальных STB120NF10T4, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от STMicroelectronics

Поставка оригинальных STB120NF10T4, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от STMicroelectronics | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
STB120NF10T4
Внутренний код
TCE000012854
Упаковка
-
Серия
STripFET™ II
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Минимальное количество
1
Производитель
STMicroelectronics
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии459,974
Доступно883,940

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Pin Count
4
Lead Free
Lead Free
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated DC
100V
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Height
4.6mm
Termination
SMD/SMT
Width
9.35mm
Terminal Form
GULL WING
Length
10.4mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Element Configuration
Single
Peak Reflow Temperature (Cel)
245
Threshold Voltage
4V
Weight
13.607771g
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Manufacturer
STMicroelectronics
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Continuous Drain Current (ID)
110A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A Tc
Series
STripFET™ II
Current Rating
120A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
480A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 25V
Fall Time (Typ)
68 ns
Manufacturer's Part No.
STB120NF10T4
Resistance
10.5mOhm
Avalanche Energy Rating (Eas)
550 mJ
Power Dissipation
312W
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5m Ω @ 60A, 10V
Power Dissipation-Max
312W Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
233nC @ 10V
Base Part Number
STB120N

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
100V
Rise Time
90ns
Turn On Delay Time
25 ns
Turn-Off Delay Time
132 ns

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.