Поставка оригинальных ES3D-E3/57T, Diodes - Rectifiers - Single, от Vishay

Поставка оригинальных ES3D-E3/57T, Diodes - Rectifiers - Single, от Vishay | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
ES3D-E3/57T
Внутренний код
TCE000012902
Упаковка
-
Серия
-
Основные характеристики
-
Описание
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Минимальное количество
1
Производитель
Vishay
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Diodes - Rectifiers - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии60,618
Доступно357,061

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Parameter

Max Reverse Voltage (DC)
200V
Reverse Voltage
200V
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
200V
Number of Elements
1
Number of Phases
1
Average Rectified Current
3A
Forward Current
3A
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Peak Reverse Current
10μA
Diode Type
Standard
Reverse Recovery Time
30 ns
Diode Element Material
SILICON
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance
45pF
Operating Temperature - Junction
-55°C~150°C
Forward Voltage
900mV
Application
EFFICIENCY
Max Surge Current
100A
Max Forward Surge Current (Ifsm)
100A
Peak Non-Repetitive Surge Current
100A
Current - Reverse Leakage @ Vr
10μA @ 200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
900mV @ 3A

Product Attribute

Voltage - Rated DC
200V
Voltage
200V
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
Pin Count
2
Number of Pins
2
Published
2008
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Width
8.13mm
Current
3A
Output Current
3A
Current Rating
3A
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount
Min Operating Temperature
-55°C
Packaging
Tape & Reel (TR)
Reflow Temperature-Max (s)
40
Factory Lead Time
21 Weeks
Series
-
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Max Operating Temperature
150°C
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Recovery Time
30 ns
Manufacturer
Vishay
Height
2.62mm
Categories
Discrete Semiconductor Products
Subcategory
Rectifier Diodes
HTS Code
8541.10.00.80
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Single
Terminal Form
C BEND
Additional Feature
FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
Capacitance @ Vr, F
45pF @ 4V 1MHz
Package / Case
DO-214AB, SMC
Base Part Number
ES3D
Manufacturer's Part No.
ES3D-E3/57T
Length
7.0866mm

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.10.0080

Статьи

Это руководство представляет собой прямое сравнение поколений HBM (вплоть до HBM3e), анализирует рыночный ландшафт, в котором доминируют SK Hynix, Samsung и Micron, и предлагает важнейший контрольный список для закупок. Оно завершается практическим примером, дающим рекомендации по требованиям к емкости и пропускной способности (например, для LLM с 175 млрд параметров), что позволяет компаниям принимать обоснованные решения для своих высокопроизводительных систем ИИ.

Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.