Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных IRFL4310TRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных IRFL4310TRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IRFL4310TRPBF
Внутренний код
TCE000012923
Упаковка
SOT223
Серия
HEXFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии373,436
Доступно609,816

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Parameter

Number of Elements
1
Number of Channels
1
Min Breakdown Voltage
100V
Turn-Off Delay Time
34 ns
Turn On Delay Time
7.8 ns
Rise Time
18ns

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Number of Terminations
4
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
1999
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Voltage - Rated DC
100V
Height
1.8mm
Drain Current-Max (Abs) (ID)
2.2A
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Width
3.7mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Threshold Voltage
2V
Element Configuration
Single
Fall Time (Typ)
20 ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Recovery Time
110 ns
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Continuous Drain Current (ID)
1.6A
Current Rating
1.6A
Additional Feature
HIGH RELIABILITY
Power Dissipation
2.1W
Length
6.6802mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.6A Ta
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Power Dissipation-Max
1W Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200m Ω @ 1.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Resistance
200mOhm
Manufacturer's Part No.
IRFL4310TRPBF

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-PDSO-G4

Статьи

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.