Поставка оригинальных IXFH14N60P, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от IXYS

Поставка оригинальных IXFH14N60P, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от IXYS | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IXFH14N60P
Внутренний код
TCE000012925
Упаковка
TO-247
Серия
HiPerFET™, PolarHT™
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
Минимальное количество
1
Производитель
IXYS
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии363,499
Доступно505,899

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Part Status
Active
Termination
Through Hole
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Published
2006
Pin Count
3
Number of Pins
3
Number of Terminations
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Voltage - Rated DC
600V
Current Rating
14A
Continuous Drain Current (ID)
14A
Factory Lead Time
30 Weeks
Threshold Voltage
5.5V
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Qualification Status
Not Qualified
Width
5.3mm
Drain-source On Resistance-Max
0.55Ohm
Element Configuration
Single
Length
16.26mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Fall Time (Typ)
26 ns
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Nominal Vgs
5.5 V
Manufacturer
IXYS
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
42A
Power Dissipation
300W
Power Dissipation-Max
300W Tc
Vgs (Max)
±30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A Tc
Series
HiPerFET™, PolarHT™
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550m Ω @ 7A, 10V
JEDEC-95 Code
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Avalanche Energy Rating (Eas)
900 mJ
Height
21.46mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Manufacturer's Part No.
IXFH14N60P

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e1
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
600V
Terminal Finish
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Turn-Off Delay Time
70 ns
Reverse Recovery Time
200 ns
Turn On Delay Time
23 ns
Rise Time
27ns

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.