Поставка оригинальных MURB1620CTT4G, Diodes - Rectifiers - Arrays, от ON Semiconductor

Поставка оригинальных MURB1620CTT4G, Diodes - Rectifiers - Arrays, от ON Semiconductor | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
MURB1620CTT4G
Внутренний код
TCE000012975
Упаковка
-
Серия
SWITCHMODE™
Основные характеристики
-
Описание
DIODE ARRAY GP 200V 8A D2PAK
Минимальное количество
1
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Diodes - Rectifiers - Arrays
Техническое описание
-

Доступность

В наличии681,776
Доступно863,815

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Обзор

The MURB1620CTT4G from ON Semiconductor is a Schottky Barrier Rectifier designed for high-efficiency rectification applications. 

Key Features:

  1. Schottky Barrier Technology: The MURB1620CTT4G utilizes Schottky barrier technology, which results in low forward voltage drop and fast switching characteristics. This allows for efficient energy conversion with minimal power loss, making it suitable for high-frequency applications.
  2. High Surge Current Capability: This rectifier is capable of handling high surge currents, making it suitable for applications where transient overcurrent conditions may occur. Its robust construction ensures reliable performance and protection against overcurrent events.
  3. Low Reverse Leakage Current: The device exhibits low reverse leakage current, which is essential for maintaining efficiency and minimizing power dissipation in reverse bias conditions. This characteristic contributes to improved overall performance and energy efficiency in rectification circuits.
  4. Low Thermal Resistance: The MURB1620CTT4G features low thermal resistance, allowing for efficient heat dissipation during operation. This helps in maintaining the temperature of the device within acceptable limits, ensuring reliable and long-term operation.
  5. Compact and Surface Mount Package: It is available in a compact surface mount package, making it suitable for space-constrained applications and enabling easy integration onto circuit boards. The package design also enhances thermal performance and facilitates automated assembly processes.
  6. High Operating Temperature Range: With a wide operating temperature range, the MURB1620CTT4G can withstand harsh environmental conditions, making it suitable for a variety of industrial and automotive applications where temperature extremes may be encountered.
  7. RoHS Compliant: The device complies with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive, ensuring that it meets environmental and safety standards for electronics manufacturing.

Applications:

  • Switching power supplies
  • DC-DC converters
  • Freewheeling diodes
  • Reverse polarity protection circuits
  • Battery charging circuits
  • Automotive electronics
  • Industrial equipment
  • Consumer electronics

The MURB1620CTT4G Schottky Barrier Rectifier from ON Semiconductor offers high efficiency, fast switching, and reliable performance, making it an ideal choice for various power rectification applications in automotive, industrial, and consumer electronics. Its compact design, low forward voltage drop, and high surge current capability make it well-suited for demanding applications where efficiency and reliability are paramount.

Product Attribute

Voltage - Rated DC
200V
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Number of Terminations
2
Pbfree Code
Yes
Surface Mount
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Min Operating Temperature
-65°C
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Number of Pins
3
Pin Count
3
Factory Lead Time
4 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Reflow Temperature-Max (s)
40
Halogen Free
Halogen Free
Output Current-Max
8A
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Width
9.65mm
Height
4.83mm
Terminal Position
Single
Length
10.29mm
Recovery Time
35 ns
Manufacturer
ON Semiconductor
Power Dissipation-Max
3W
Max Operating Temperature
175°C
Categories
Discrete Semiconductor Products
Current Rating
16A
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Subcategory
Rectifier Diodes
Additional Feature
FREE WHEELING DIODE
HTS Code
8541.10.00.80
Series
SWITCHMODE™
Element Configuration
Common Cathode
Diode Configuration
1 Pair Common Cathode
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Arrays
Base Part Number
MURB1620CT
Manufacturer's Part No.
MURB1620CTT4G

Product Parameter

Reverse Voltage
200V
Max Reverse Voltage (DC)
200V
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
200V
Number of Elements
2
Number of Phases
1
Average Rectified Current
8A
Forward Current
8A
Diode Type
Standard
Reverse Recovery Time
35 ns
Terminal Finish
Tin (Sn)
Peak Reverse Current
5μA
Diode Element Material
SILICON
Application
ULTRA FAST RECOVERY POWER
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction
-65°C~175°C
Current - Reverse Leakage @ Vr
5μA @ 200V
Max Surge Current
100A
Max Forward Surge Current (Ifsm)
100A
Peak Non-Repetitive Surge Current
100A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
975mV @ 8A
Forward Voltage
975mV

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.10.0080

Статьи

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.