Поставка оригинальных MR25H40CDC, Toggle MRAM, от Everspin Technologies

Поставка оригинальных MR25H40CDC, Toggle MRAM, от Everspin Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
MR25H40CDC
Внутренний код
TCE000012977
Упаковка
DFN
Серия
MR2xH40
Основные характеристики
-
Описание
MRAM 4Mbit Serial-SPI Interface 3.3V
Минимальное количество
1
Производитель
Everspin Technologies
Категория
MRAM
Подкатегория
Toggle MRAM
Техническое описание
-

Доступность

В наличии1,000,000,464
Доступно1,000,000,875

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Обзор

The MR25H40 is the ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins.
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified options available.
  • 40MHz Read/Write speed with unlimited endurance.
  • Data non-volatile with 20 years retention.
  • Data retained on power loss.
  • RoHS compliant packages.

Package Parameter

Lead Shape
NO LEAD
Package Dimensions
6.1 x 5.1 x 0.95 mm (Max)
Supplier Package
DFN EP

Export Classifications & Environmental

Automotive
NO
PPAP
NO
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99

Product Attribute

Max. Access Time (ns)
9
Pin Count
8
Data Bus Width (bit)
8
Operating Current (mA)
42
Chip Density (bit)
4M
Part Status
NRND
Temperature Range
-40°C to +85°C
Interface Type
Serial-SPI
Organization
512Kx8
Operating Voltage (V)
3.3 (3 to 3.6)

Статьи

Это руководство представляет собой прямое сравнение поколений HBM (вплоть до HBM3e), анализирует рыночный ландшафт, в котором доминируют SK Hynix, Samsung и Micron, и предлагает важнейший контрольный список для закупок. Оно завершается практическим примером, дающим рекомендации по требованиям к емкости и пропускной способности (например, для LLM с 175 млрд параметров), что позволяет компаниям принимать обоснованные решения для своих высокопроизводительных систем ИИ.

Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.