Поставка оригинальных MR4A16BCMA35, Toggle MRAM, от Everspin Technologies
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Доступность
Диапазон цен
| Качество | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 |
Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.
Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.
Обзор
The MR4A16B is a 16,777,216-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) device organized as 1,048,576 words of 16 bits. The MR4A16B offers SRAM compatible 35 ns read/write timing with unlimited endurance. Data is always non-volatile for greater than 20 years. Data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification.
To simplify fault tolerant design, the MR4A16B includes internal single bit error correction code with 7 ECC parity bits for every 64 data bits. The MR4A16B is the ideal memory solution for applications that must permanently store and retrieve critical data and programs quickly.
The MR4A16B is available in a small footprint 48-pin ball grid array (BGA) package and a 54-pin thin small outline package (TSOP Type 2). These packages are compatible with similar low-power SRAM products and other nonvolatile RAM products.
The MR4A16B provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures. The product is offered with commercial temperature (0 to +70 °C), and industrial temperature (-40 to +85 °C) operating temperature options.
Package Parameter
Product Attribute
Export Classifications & Environmental
Статьи
Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.
Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.
Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.