Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных PMV100EPA, Automotive MOSFETs, от Nexperia

Поставка оригинальных PMV100EPA, Automotive MOSFETs, от Nexperia | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
PMV100EPA
Внутренний код
TCE000018153
Упаковка
SOT23
Серия
-
Основные характеристики
-
Описание
-
Минимальное количество
1
Производитель
Nexperia
Категория
Automotive qualified products
Подкатегория
Automotive MOSFETs
Техническое описание
-

Доступность

В наличии1,000,000,456
Доступно1,000,000,422

Диапазон цен

Пока нет данных

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Обзор

Automotive qualified P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Product Attribute

Nr of transistors
1
Number of Transistors
1
Tj [max] (°C)
175
Product status
Production
Manufacturer
Nexperia
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
11.0
Nr of transistors
1.0
QGD [typ] (nC)
2.4
Qr [typ] (nC)
13.0
VGS [max] (V)
20.0
RDSon [max] @ Tj = 175 °C (mΩ)
276.0
RDSon [typ] @ VGS = 10 V (mΩ)
100.0
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
130.0
RDSon [typ] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
130.0
Package name
SOT23
Tj [max] (°C)
175.0
Automotive qualified
Y
integrated gate-source ESD protection diodes
N
Ptot [max] (W)
0.71
Ptot [max] (W)
1.3
Coss [typ] (pF)
41.0
VGSth [max] @25 C (V)
-3.2
VDS [max] (V)
-60
VGSth [typ] (V)
-2.5
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V; @25 C (mΩ)
180.0
Ciss [typ] (pF)
616.0
Release date
2020-04-16
ID [max] (A)
-2.2
ID [max] @ T = 100 °C (A)
-1.4
IDM [max] (A)
-9.0
VDS [max] (V)
-60.0
VGSth @25 C [min] (V)
-1.9
Max Junction Temperature
175 °C
Automotive qualified
Yes (AEC-Q101)
Gate-Source Threshold Voltage
-2.5 V
Reverse Recovery Charge
13 nC
Max On-State Resistance @ VGS=10V
130 mΩ
Gate-Drain Charge
2.4 nC
Max On-State Resistance @ VGS=4.5V
180 mΩ
Max Drain-Source Voltage
-60 V
Total Gate Charge @ VGS=10V
11 nC
Input Capacitance
616 pF
Output Capacitance
41 pF
Max Power Dissipation
1.3 W
Max Drain Current
-2.2 A
Temperature Range
Extended (Tj = 175 °C)
Technology
Trench MOSFET
Qualification
AEC-Q101 qualified
Package name
SOT23 (TO-236AB)

Product Parameter

Channel Type
P-Channel
Channel Type
P
Compatibility
Logic-level compatible
Switching Speed
Very fast switching

Package Parameter

Wave Soldering
WAVE_BG-BD-1
Reflow Soldering
REFLOW_BG-BD-1
Packing
SOT23_215
Marking
%GP

Export Classifications & Environmental

RoHS
Compliant
RHF-indicator
Yes
Orderable Part Number
PMV100EPAR (934661097215)
Chemical Content
PMV100EPA

Статьи

Землетрясение в цепочке поставок! Глубокий анализ поглощения Nexperia и предупреждение о ценах на материалы (Эксклюзивный анализ TrustCompo)

Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.