Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных PSMN1R1-80CSF, ASFETs for Battery Systems and eFuse, от Nexperia

Поставка оригинальных PSMN1R1-80CSF, ASFETs for Battery Systems and eFuse, от Nexperia | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
PSMN1R1-80CSF
Внутренний код
TCE000022776
Упаковка
SOT8005A
Серия
-
Основные характеристики
-
Описание
-
Минимальное количество
1
Производитель
Nexperia
Категория
MOSFETs
Подкатегория
ASFETs for Battery Systems and eFuse
Техническое описание
-

Доступность

В наличии1,000,000,908
Доступно1,000,000,695

Диапазон цен

Пока нет данных

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Nr of transistors
1
VDS [max] (V)
80
Qr [typ] (nC)
68
Tj [max] (°C)
175
Product status
Production
Manufacturer
Nexperia
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
242.0
Qr [typ] (nC)
68.0
VGSth [typ] (V)
3.0
Automotive qualified
N
Rth(j-mb) [max] (K/W)
0.16
ID [max] @ T = 100 °C (A)
385.0
ID [max] (A)
385.0
RDSon [max] @ Tj = 175 °C (mΩ)
2.7
QGD [typ] (nC)
37.0
Ptot [max] (W)
935.0
Package name
CCPAK1212i
Ptot [max] (W)
935
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
242
ID [max] @ T = 100 °C (A)
385
ID [max] (A)
385
Coss [typ] (pF)
4261
Release date
2024-05-06
Ciss [typ] (pF)
17591
EDS(AL)S [max] (mJ)
1300
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
1.16
IDM [max] (A)
2367
RDSon [typ] @ VGS = 10 V (mΩ)
0.92
IDM [max] (A)
2367.0

Product Parameter

Channel Type
N

Статьи

Технология HBM — Драйвер Эры ИИ: Руководство по Выбору и Закупкам

Это руководство представляет собой прямое сравнение поколений HBM (вплоть до HBM3e), анализирует рыночный ландшафт, в котором доминируют SK Hynix, Samsung и Micron, и предлагает важнейший контрольный список для закупок. Оно завершается практическим примером, дающим рекомендации по требованиям к емкости и пропускной способности (например, для LLM с 175 млрд параметров), что позволяет компаниям принимать обоснованные решения для своих высокопроизводительных систем ИИ.

Землетрясение в цепочке поставок! Глубокий анализ поглощения Nexperia и предупреждение о ценах на материалы (Эксклюзивный анализ TrustCompo)

Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.