Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных PSMN3R9-100YSF, ASFETs for Battery Systems and eFuse, от Nexperia

Поставка оригинальных PSMN3R9-100YSF, ASFETs for Battery Systems and eFuse, от Nexperia | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
PSMN3R9-100YSF
Внутренний код
TCE000022781
Упаковка
SOT1023
Серия
-
Основные характеристики
-
Описание
-
Минимальное количество
1
Производитель
Nexperia
Категория
MOSFETs
Подкатегория
ASFETs for Battery Systems and eFuse
Техническое описание
-

Доступность

В наличии1,000,000,050
Доступно1,000,000,965

Диапазон цен

Пока нет данных

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Nr of transistors
1
ID [max] @ T = 100 °C (A)
120
ID [max] (A)
120
VDS [max] (V)
100
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
80
Qr [typ] (nC)
44
Tj [max] (°C)
175
Product status
Production
Manufacturer
Nexperia
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
4.3
Ptot [max] (W)
294.0
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
80.0
RDSon [typ] @ VGS = 10 V (mΩ)
3.3
VGSth [typ] (V)
3.0
Automotive qualified
N
ID [max] (A)
120.0
ID [max] @ T = 100 °C (A)
120.0
QGD [typ] (nC)
18.0
Qr [typ] (nC)
44.0
RDSon [max] @ Tj = 175 °C (mΩ)
9.9
Package name
LFPAK56E; Power-SO8
Rth(j-mb) [max] (K/W)
0.51
EDS(AL)S [max] (mJ)
325
Coss [typ] (pF)
1335
IDM [max] (A)
690
Ciss [typ] (pF)
5520
Ptot [max] (W)
294
Release date
2018-07-05
IDM [max] (A)
690.0

Product Parameter

Channel Type
N

Статьи

Технология HBM — Драйвер Эры ИИ: Руководство по Выбору и Закупкам

Это руководство представляет собой прямое сравнение поколений HBM (вплоть до HBM3e), анализирует рыночный ландшафт, в котором доминируют SK Hynix, Samsung и Micron, и предлагает важнейший контрольный список для закупок. Оно завершается практическим примером, дающим рекомендации по требованиям к емкости и пропускной способности (например, для LLM с 175 млрд параметров), что позволяет компаниям принимать обоснованные решения для своих высокопроизводительных систем ИИ.

Землетрясение в цепочке поставок! Глубокий анализ поглощения Nexperia и предупреждение о ценах на материалы (Эксклюзивный анализ TrustCompo)

Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.