Поставка оригинальных PSMN8R3-40YS, Power MOSFETs, от Nexperia

Поставка оригинальных PSMN8R3-40YS, Power MOSFETs, от Nexperia | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
PSMN8R3-40YS
Внутренний код
TCE000022970
Упаковка
SOT669
Серия
-
Основные характеристики
-
Описание
-
Минимальное количество
1
Производитель
Nexperia
Категория
MOSFETs
Подкатегория
Power MOSFETs
Техническое описание
-

Доступность

В наличии1,000,000,659
Доступно1,000,000,329

Диапазон цен

Пока нет данных

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Parameter

Channel Type
N

Product Attribute

Nr of transistors
1
VDS [max] (V)
40
Tj [max] (°C)
175
Product status
Production
Manufacturer
Nexperia
ID [max] @ T = 100 °C (A)
50.0
RDSon [max] @ Tj = 175 °C (mΩ)
16.0
Rth(j-mb) [max] (K/W)
2.0
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
20.0
RDSon [typ] @ VGS = 10 V (mΩ)
6.6
QGD [typ] (nC)
4.5
VGSth [typ] (V)
3.0
ID [max] (A)
70.0
Automotive qualified
N
Qr [typ] (nC)
26.0
Package name
LFPAK56; Power-SO8
Ptot [max] (W)
74.0
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
8.6
Release date
2011-01-27
IDM [max] (A)
274.0
Coss [typ] (pF)
270
Ciss [typ] (pF)
1215

Статьи

Это руководство представляет собой прямое сравнение поколений HBM (вплоть до HBM3e), анализирует рыночный ландшафт, в котором доминируют SK Hynix, Samsung и Micron, и предлагает важнейший контрольный список для закупок. Оно завершается практическим примером, дающим рекомендации по требованиям к емкости и пропускной способности (например, для LLM с 175 млрд параметров), что позволяет компаниям принимать обоснованные решения для своих высокопроизводительных систем ИИ.

Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.