Что такое FDMC8878?
FDMC8878 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDMC8878, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDMC8878 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
2006
Product Attribute
Factory Lead Time
23 Weeks
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Factory Lead Time
23 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Terminal Form
NO LEAD
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
950μm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Contact Plating
Gold
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Length
3mm
Width
3mm
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Power Dissipation
2.1W
Package / Case
8-PowerWDFN
Threshold Voltage
1.7V
Nominal Vgs
1.7 V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
60A
Resistance
14mOhm
Fall Time (Typ)
3 ns
Continuous Drain Current (ID)
9.6A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1230pF @ 15V
Manufacturer's Part No.
FDMC8878
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14m Ω @ 9.6A, 10V
Weight
180mg
Power Dissipation-Max
2.1W Ta 31W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.6A Ta 16.5A Tc
Turn-Off Delay Time
20 ns
Number of Elements
1
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Dual Supply Voltage
30V
Turn On Delay Time
8 ns
Rise Time
4ns
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
JESD-609 Code
e4
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
S-PDSO-N5
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMC8878, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDMC8878?
Для FDMC8878 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDMC8878 в наличии?
Сейчас на странице указано 73108 шт. на складе и 21319 шт. доступно для FDMC8878. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDMC8878?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMC8878 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDMC8878?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMC8878 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDMC8878?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMC8878.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FQP12P20
170 покупали
TO-220
RoHS
MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
Ориентировочная цена
$5.07Добавить в список RFQ
FDD8770
214 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Ориентировочная цена
$0.43Добавить в список RFQ
STB150NF55T4
211 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.10Добавить в список RFQ
FQP19N20
150 покупали
TO-220
RoHS
MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220
Ориентировочная цена
$2.00Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.